参数资料
型号: LCMXO640C-4F256I
厂商: LATTICE SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: PLD
中文描述: FLASH PLD, 4.2 ns, PBGA256
封装: 17 X 17 MM, FPBGA-256
文件页数: 92/95页
文件大小: 867K
代理商: LCMXO640C-4F256I
5-13
Ordering Information
Lattice Semiconductor
MachXO Family Data Sheet
Lead-Free Packaging
Industrial
Part Number
LUTs
Supply Voltage
I/Os
Grade
Package
Pins
Temp.
LCMXO256C-3TN100I4W
1
256
1.8V/2.5V/3.3V
78
-3
Lead-Free TQFP
100
IND
LCMXO256C-4TN100I4W
1
256
1.8V/2.5V/3.3V
78
-4
Lead-Free TQFP
100
IND
LCMXO256C-3MN100I4W
1
256
1.8V/2.5V/3.3V
78
-3
Lead-Free csBGA
100
IND
LCMXO256C-4MN100I4W
1
256
1.8V/2.5V/3.3V
78
-4
Lead-Free csBGA
100
IND
LCMXO256C-3TN100I
256
1.8V/2.5V/3.3V
78
-3
Lead-Free TQFP
100
IND
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256
1.8V/2.5V/3.3V
78
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Lead-Free TQFP
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IND
LCMXO256C-3MN100I
256
1.8V/2.5V/3.3V
78
-3
Lead-Free csBGA
100
IND
LCMXO256C-4MN100I
256
1.8V/2.5V/3.3V
78
-4
Lead-Free csBGA
100
IND
1.Initial production devices. Refer to the Supply Current (Sleep Mode) table in this data sheet for sleep mode leakage current.
Part Number
LUTs
Supply Voltage
I/Os
Grade
Package
Pins
Temp.
LCMXO640C-3TN100I4W
1
640
1.8V/2.5V/3.3V
74
-3
Lead-Free TQFP
100
IND
LCMXO640C-4TN100I4W
1
640
1.8V/2.5V/3.3V
74
-4
Lead-Free TQFP
100
IND
LCMXO640C-3MN100I4W
1
640
1.8V/2.5V/3.3V
74
-3
Lead-Free csBGA
100
IND
LCMXO640C-4MN100I4W
1
640
1.8V/2.5V/3.3V
74
-4
Lead-Free csBGA
100
IND
LCMXO640C-3TN144I4W
1
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113
-3
Lead-Free TQFP
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IND
LCMXO640C-4TN144I4W
1
640
1.8V/2.5V/3.3V
113
-4
Lead-Free TQFP
144
IND
LCMXO640C-3MN132I4W
1
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101
-3
Lead-Free csBGA
132
IND
LCMXO640C-4MN132I4W
1
640
1.8V/2.5V/3.3V
101
-4
Lead-Free csBGA
132
IND
LCMXO640C-3FN256I4W
1
640
1.8V/2.5V/3.3V
159
-3
Lead-Free fpBGA
256
IND
LCMXO640C-4FN256I4W
1
640
1.8V/2.5V/3.3V
159
-4
Lead-Free fpBGA
256
IND
LCMXO640C-3TN100I
640
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74
-3
Lead-Free TQFP
100
IND
LCMXO640C-4TN100I
640
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-4
Lead-Free TQFP
100
IND
LCMXO640C-3MN100I
640
1.8V/2.5V/3.3V
74
-3
Lead-Free csBGA
100
IND
LCMXO640C-4MN100I
640
1.8V/2.5V/3.3V
74
-4
Lead-Free csBGA
100
IND
LCMXO640C-3TN144I
640
1.8V/2.5V/3.3V
113
-3
Lead-Free TQFP
144
IND
LCMXO640C-4TN144I
640
1.8V/2.5V/3.3V
113
-4
Lead-Free TQFP
144
IND
LCMXO640C-3MN132I
640
1.8V/2.5V/3.3V
101
-3
Lead-Free csBGA
132
IND
LCMXO640C-4MN132I
640
1.8V/2.5V/3.3V
101
-4
Lead-Free csBGA
132
IND
LCMXO640C-3FN256I
2
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1.8V/2.5V/3.3V
159
-3
Lead-Free fpBGA
256
IND
LCMXO640C-4FN256I
2
640
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-4
Lead-Free fpBGA
256
IND
LCMXO640C-3FTN256I
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Lead-Free ftBGA
256
IND
LCMXO640C-4FTN256I
640
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159
-4
Lead-Free ftBGA
256
IND
1.Initial production devices. Refer to the Supply Current (Sleep Mode) table in this data sheet for sleep mode leakage current.
2.Not recommended for new designs. Use ftBGA package devices.
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PDF描述
LCMXO640C-5F256C
LCN0402T-9N0H-N 1 ELEMENT, 0.009 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
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LCN0402T-8N2H-N 1 ELEMENT, 0.0082 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
LCN0402T-8N2G-N 1 ELEMENT, 0.0082 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
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参数描述
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LCMXO640C-4FN256I 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Use LCMXO640C-4FTN25 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
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LCMXO640C-4FT256I 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 159 IO 1.8/ 2.5/3.3V -4 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
LCMXO640C-4FTN256C 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 640 LUTs 159 IO 1.8/ 2.5/3.3V -4 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100