参数资料
| 型号： | LTC3831EGN |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 1/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SW REG CONTROLLR SYNC 16-SSOP |
| 标准包装： | 100 |
| 应用： | 控制器，DDR |
| 输入电压： | 3 V ~ 8 V |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | 1.27 V ~ 4 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SSOP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1336 (CN2011-ZH PDF) |
LTC3831
High Power Synchronous
Switching Regulator Controller
for DDR Memory Termination
FEATURES
DESCRIPTION
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n
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n
n
n
n
High Power Switching Regulator Controller
for DDR Memory Termination
V OUT Tracks 1/2 of V IN or External V REF
No Current Sense Resistor Required
Low Input Supply Voltage Range: 3V to 8V
Maximum Duty Cycle > 91% Over Temperature
Drives All N-Channel External MOSFETs
High Ef?ciency: Over 95% Possible
Programmable Fixed Frequency Operation:
100kHz to 500kHz
External Clock Synchronization Operation
Programmable Soft-Start
Low Shutdown Current: <10μA
Overtemperature Protection
Available in 16-Pin Narrow SSOP Package
The LTC ? 3831 is a high power, high ef?ciency switching
regulator controller designed for DDR memory termina-
tion. The LTC3831 generates an output voltage equal
to 1/2 of an external supply or reference voltage. The
LTC3831 uses a synchronous switching architecture
with N-channel MOSFETs. Additionally, the chip senses
output current through the drain-source resistance of the
upper N-channel FET, providing an adjustable current limit
without a current sense resistor.
The LTC3831 operates with input supply voltage as low as
3V and with a maximum duty cycle of > 91%. It includes
a ?xed frequency PWM oscillator for low output ripple
operation. The 200kHz free-running clock frequency can
be externally adjusted or synchronized with an external
signal from 100kHz to above 500kHz. In shutdown mode,
APPLICATIONS
the LTC3831 supply current drops to <10μA.
L , LT, LTC and LTM are registered trademarks of Linear Technology Corporation.
n
n
n
DDR SDRAM Termination
SSTL_2 Interface
SSTL_3 Interface
All other trademarks are the property of their respective owners.
TYPICAL APPLICATION
5V
V DDQ
2.5V
Ef?ciency vs Load Current
MBR0530T1
+
C IN
330μF
100
90
1μF
PV CC2
PV CC1
10k
0.1μF
Q1
MBRS340T3
× 2
80
70
R –
+
0.1μF
4.7μF
C1
33pF
0.01μF
130k
SHDN
R C
15k
C C
1500pF
V CC TG
SS I MAX
LTC3831 I FB
FREQSET BG
SHDN PGND
COMP GND
R +
FB
0.1μF
1k
Q2
C IN : SANYO POSCAP 6TPB330M
C OUT : SANYO POSCAP 4TPB470M
Q1, Q2: SILICONIX Si4410DY
L O
1.2μH
MBRS340T3
+
C OUT
470μF
× 3
V TT
1.25V
±6A
3831 F01
60
50
40
30
20
10
0
0
T A = 25°C
V IN = 2.5V
V OUT = 1.25V
1 2 3 4
LOAD CURRENT (A)
5
6
2831 G01
Figure 1. Typical DDR Memory Termination Application
3831fb
1
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