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参数资料
| 型号： | M28W640ECT70ZB6T |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| 封装： | 6.39 X 10.50 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48 |
| 文件页数： | 15/54页 |
| 文件大小： | 957K |
| 代理商： | M28W640ECT70ZB6T |
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M28W640ECT, M28W640ECB
22/54
Table 15. DC Characteristics
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
ILI
Input Leakage Current
0V
≤ VIN ≤ VDDQ
±1
A
ILO
Output Leakage Current
0V
≤ VOUT ≤VDDQ
±10
A
IDD
Supply Current (Read)
E = VSS, G = VIH, f = 5MHz
918
mA
IDD1
Supply Current (Stand-by or
Automatic Stand-by)
E = VDDQ ± 0.2V,
RP = VDDQ ± 0.2V
15
50
A
IDD2
Supply Current
(Reset)
RP = VSS ± 0.2V
15
50
A
IDD3
Supply Current (Program)
Program in progress
VPP = 12V ± 5%
510
mA
Program in progress
VPP = VDD
10
20
mA
IDD4
Supply Current (Erase)
Erase in progress
VPP = 12V ± 5%
520
mA
Erase in progress
VPP = VDD
10
20
mA
IDD5
Supply Current
(Program/Erase Suspend)
E = VDDQ ± 0.2V,
Erase suspended
15
50
A
IPP
Program Current
(Read or Stand-by)
VPP > VDD
400
A
IPP1
Program Current
(Read or Stand-by)
VPP ≤ VDD
15
A
IPP2
Program Current (Reset)
RP = VSS ± 0.2V
15
A
IPP3
Program Current (Program)
Program in progress
VPP = 12V ± 5%
110
mA
Program in progress
VPP = VDD
15
A
IPP4
Program Current (Erase)
Erase in progress
VPP = 12V ± 5%
310
mA
Erase in progress
VPP = VDD
15
A
VIL
Input Low Voltage
–0.5
0.4
V
VDDQ ≥ 2.7V
–0.5
0.8
V
VIH
Input High Voltage
VDDQ –0.4
VDDQ +0.4
V
VDDQ ≥ 2.7V
0.7 VDDQ
VDDQ +0.4
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 100A, VDD = VDD min,
VDDQ = VDDQ min
0.1
V
VOH
Output High Voltage
IOH = –100A, VDD = VDD min,
VDDQ = VDDQ min
VDDQ –0.1
V
VPP1
Program Voltage (Program or
Erase operations)
1.65
3.6
V
VPPH
Program Voltage
(Program or Erase
operations)
11.4
12.6
V
VPPLK
Program Voltage
(Program and Erase lock-out)
1V
VLKO
VDD Supply Voltage (Program
and Erase lock-out)
2V
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PDF描述 |
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