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参数资料
| 型号： | M28W640ECT70ZB6T |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| 封装： | 6.39 X 10.50 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48 |
| 文件页数： | 7/54页 |
| 文件大小： | 957K |
| 代理商： | M28W640ECT70ZB6T |
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15/54
M28W640ECT, M28W640ECB
Table 6. Read Block Lock Signature
Note: 1. A Locked-Down Block can be locked "DQ0 = 1" or unlocked "DQ0 = 0"; see Block Locking section.
Table 7. Read Protection Register and Lock Register
Block Status
E
G
W
A0
A1
A2-A7
A8-A11
A12-A21
DQ0
DQ1
DQ2-DQ15
Locked Block
VIL
VIH
VIL
VIH
0
Don’t Care
Block Address
1
0
00h
Unlocked Block
VIL
VIH
VIL
VIH
0
Don’t Care
Block Address
0
00h
Locked-Down
Block
VIL
VIH
VIL
VIH
0
Don’t Care
Block Address
X (1)
1
00h
Word
E
G
W
A0-A7
A8-A21
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3-DQ7 DQ8-DQ15
Lock
VIL
VIH
80h
Don’t Care
0
OTP Prot.
data
0
00h
Unique ID 0
VIL
VIH
81h
Don’t Care
ID data
Unique ID 1
VIL
VIH
82h
Don’t Care
ID data
Unique ID 2
VIL
VIH
83h
Don’t Care
ID data
Unique ID 3
VIL
VIH
84h
Don’t Care
ID data
OTP 0
VIL
VIH
85h
Don’t Care
OTP data
OTP 1
VIL
VIH
86h
Don’t Care
OTP data
OTP 2
VIL
VIH
87h
Don’t Care
OTP data
OTP 3
VIL
VIH
88h
Don’t Care
OTP data
OTP 4
VIL
VIH
89h
Don’t Care
OTP data
OTP 5
VIL
VIH
8Ah
Don’t Care
OTP data
OTP 6
VIL
VIH
8Bh
Don’t Care
OTP data
OTP 7
VIL
VIH
8Ch
Don’t Care
OTP data
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W640ECT85N1 | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PDSO48 |
| M28W640ECT85ZB1T | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PBGA48 |
| M28W640ECT70ZB1E | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| M28W640ECT85N1E | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PDSO48 |
| M29W040B70N1E | 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M28W640FCB70N6 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| M28W640FCB70N6E | 功能描述:闪存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W640FCB70N6F | 功能描述:闪存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W640FCB70ZB6E | 功能描述:闪存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W640FCB70ZB6F | 功能描述:闪存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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