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参数资料
| 型号： | M28W640ECT70ZB6T |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| 封装： | 6.39 X 10.50 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48 |
| 文件页数： | 20/54页 |
| 文件大小： | 957K |
| 代理商： | M28W640ECT70ZB6T |
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27/54
M28W640ECT, M28W640ECB
Table 18. Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. Applicable if VPP is seen as a logic input (VPP < 3.6V).
3. To be characterized.
Symbol
Alt
Parameter
M28W640EC
Unit
70
85
90
10
tAVAV
tWC
Write Cycle Time
Min
70(3)
85
90
100
ns
tAVEH
tAS
Address Valid to Chip Enable High
Min
45
50
ns
tDVEH
tDS
Data Valid to Chip Enable High
Min
45
50
ns
tEHAX
tAH
Chip Enable High to Address Transition
Min
0000
ns
tEHDX
tDH
Chip Enable High to Data Transition
Min
0000
ns
tEHEL
tCPH Chip Enable High to Chip Enable Low
Min
25
30
ns
tEHGL
Chip Enable High to Output Enable
Low
Min
252530
30
ns
tEHWH
tWH
Chip Enable High to Write Enable High
Min
0000
ns
tELEH
tCP
Chip Enable Low to Chip Enable High
Min
45
50
ns
tELQV
Chip Enable Low to Output Valid
Min
70(3)
85
90
100
ns
tQVVPL
(1,2)
Output Valid to VPP Low
Min
0000
ns
tQVWPL
Data Valid to Write Protect Low
Min
0000
ns
tVPHEH
(1)
tVPS
VPP High to Chip Enable High
Min
200
ns
tWLEL
tCS
Write Enable Low to Chip Enable Low
Min
0000
ns
tWPHEH
Write Protect High to Chip Enable High
Min
45
50
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W640ECT85N1 | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PDSO48 |
| M28W640ECT85ZB1T | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PBGA48 |
| M28W640ECT70ZB1E | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| M28W640ECT85N1E | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PDSO48 |
| M29W040B70N1E | 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M28W640FCB70N6 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| M28W640FCB70N6E | 功能描述:闪存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W640FCB70N6F | 功能描述:闪存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W640FCB70ZB6E | 功能描述:闪存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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