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参数资料
| 型号： | M29W800B |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 8Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory(8Mb低压闪速存储器) |
| 中文描述： | 8Mbit（1兆x8或512KB的x16插槽，引导块）低电压单电源闪存（8兆低压闪速存储器） |
| 文件页数： | 16/33页 |
| 文件大小： | 229K |
| 代理商： | M29W800B |
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Symbol
Alt
Parameter
Test
Condition
M29W800T / M29W800B
Unit
-90
-100
V
CC
= 3.0V to 3.6V
C
L
= 30pF
V
CC
= 2.7V to 3.6V
C
L
= 30pF
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
RC
Address Validto Next
Address Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
90
100
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Validto Output
Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
90
100
ns
t
ELQX
(1)
t
LZ
Chip Enable Low to
Output Transition
G = V
IL
0
0
ns
t
ELQV
(2)
t
CE
Chip Enable Low to
Output Valid
G = V
IL
90
100
ns
t
GLQX
(1)
t
OLZ
Output EnableLow to
Output Transition
E = V
IL
0
0
ns
t
GLQV(2)
t
OE
Output EnableLow to
Output Valid
E = V
IL
35
40
ns
t
EHQX
t
OH
Chip Enable High to
Output Transition
G = V
IL
0
0
ns
t
EHQZ(1)
t
HZ
Chip Enable High to
Output Hi-Z
G = V
IL
30
30
ns
t
GHQX
t
OH
Output EnableHigh to
Output Transition
E = V
IL
0
0
ns
t
GHQZ(1)
t
DF
Output EnableHigh to
Output Hi-Z
E = V
IL
30
30
ns
t
AXQX
t
OH
Address Transition to
Output Transition
E = V
IL
,
G = V
IL
0
0
ns
t
PLYH(1,3)
t
RRB
t
READY
RP Low to Read Mode
10
10
μ
s
t
PHEL
t
RH
RP High to Chip Enable
Low
50
50
ns
t
PLPX
t
RP
RP Pulse Width
500
500
ns
t
ELBL
t
ELBH
t
ELFL
t
ELFH
Chip Enable to BYTE
Switching Low or High
5
5
ns
t
BLQZ
t
FLQZ
BYTE Switching Low to
Output High Z
50
50
ns
t
BHQV
t
FHQV
BYTE Switching High to
Output Valid
50
50
ns
Notes:
1. Sampled only,not 100% tested.
2. G may be delayed by up to t
- t
afterthe falling edge of E withoutincreasing t
.
3. Tobe considered only if the Reset pulse is given while the memory is in Erase or Program mode.
Table14A. Read AC Characteristics
(T
A
= 0 to 70
°
C, –20 to 85
°
C or–40 to 85
°
C)
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M29W800T, M29W800B
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| M29W800DB45ZE6F TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 45NS 48TFBGA |
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