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参数资料
| 型号： | M29W800B |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 8Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory(8Mb低压闪速存储器) |
| 中文描述： | 8Mbit（1兆x8或512KB的x16插槽，引导块）低电压单电源闪存（8兆低压闪速存储器） |
| 文件页数： | 23/33页 |
| 文件大小： | 229K |
| 代理商： | M29W800B |
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Symbol
Alt
Parameter
M29W800T / M29W800B
Unit
-120
-150
V
CC
= 2.7V to 3.6V
C
L
= 100pF
V
CC
= 2.7V to 3.6V
C
L
= 100pF
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
120
150
ns
t
WLEL
t
WS
Write Enable Low to Chip Enable Low
0
0
ns
t
ELEH
t
CP
Chip Enable Low to Chip Enable High
50
65
ns
t
DVEH
t
DS
Input Valid to Chip EnableHigh
50
65
ns
t
EHDX
t
DH
Chip Enable High to Input Transition
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
Chip Enable High to Write Enable High
0
0
ns
t
EHEL
t
CPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
30
35
ns
t
AVEL
t
AS
Address Valid to Chip Enable Low
0
0
ns
t
ELAX
t
AH
Chip Enable Low to Address Transition
50
65
ns
t
GHEL
Output Enable High Chip Enable Low
0
0
ns
t
VCHWL
t
VCS
V
CC
High to Write Enable Low
50
50
μ
s
t
EHGL
t
OEH
Chip Enable High to Output EnableLow
0
0
ns
t
PHPHH
(1,2)
t
VIDR
RP Rise TIme to V
ID
500
500
ns
t
PLPX
t
RP
RP Pulse Width
500
500
ns
t
EHRL
(1)
t
BUSY
Program Erase Valid to RB Delay
90
90
ns
t
PHWL(1)
t
RSP
RP High to Write Enable Low
4
4
μ
s
Notes:
1. Sample only, not 100% tested.
2. This timing is for Temporary Block Unprotectionoperation.
Table16B. Write AC Characteristics,Chip EnableControlled
(T
A
= 0 to 70
°
C, –20 to 85
°
C or–40 to 85
°
C)
EraseResume(ER)Instruction.
Ifan EraseSus-
pend instruction was previously executed, the
erase operation may be resumed by giving the
command 30h, at any address, and without any
Codedcycles.
POWER SUPPLY
PowerUp
ThememoryCommandInterfaceis reseton power
up to ReadArray.EitherE or W mustbe tiedto V
IH
during Power Up to allow maximum security and
thepossibilityto writea commandon thefirstrising
edge of E and W. Any write cycle initiation is
blocked when Vcc is below V
LKO
.
Supply Rails
Normal precautionsmust be taken for supply volt-
age decoupling; each device in a system should
havetheV
CC
rail decoupledwith a0.1
μ
F capacitor
close to the V
CC
and V
SS
pins. The PCB trace
widths should be sufficient to carry the V
CC
pro-
gram and erase currentsrequired.
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M29W800T M29W800B
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