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参数资料
| 型号： | M45PE10-VMP6T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 元件分类： | FLASH |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位统一部门，串行闪存 |
| 文件页数： | 19/34页 |
| 文件大小： | 454K |
| 代理商： | M45PE10-VMP6T |
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M45PE10
26/34
Table 12. AC Characteristics (25MHz operation)
Note: 1. tCH + tCL must be greater than or equal to 1/ fC(max)
2. Value guaranteed by characterization, not 100% tested in production.
3. When using PP and PW instructions to update consecutive Bytes, optimized timings are obtained with one sequence including all
the Bytes versus several sequences of only a few Bytes. (1
≤n ≤256)
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
fC
Clock Frequency for the following
instructions: FAST_READ, PW, PP, PE,
SE, DP, RDP, WREN, WRDI, RDSR
D.C.
25
MHz
fR
Clock Frequency for READ instructions
D.C.
20
MHz
tCH
1
tCLH
Clock High Time
18
ns
tCL
1
tCLL
Clock Low Time
18
ns
Clock Slew Rate 2 (peak to peak)
0.03
V/ns
tSLCH
tCSS
S Active Setup Time (relative to C)
10
ns
tCHSL
S Not Active Hold Time (relative to C)
10
ns
tDVCH
tDSU
Data In Setup Time
5
ns
tCHDX
tDH
Data In Hold Time
5
ns
tCHSH
S Active Hold Time (relative to C)
10
ns
tSHCH
S Not Active Setup Time (relative to C)
10
ns
tSHSL
tCSH
S Deselect Time
200
ns
tSHQZ
2
tDIS
Output Disable Time
15
ns
tCLQV
tV
Clock Low to Output Valid
15
ns
tCLQX
tHO
Output Hold Time
0
ns
tRLRH
2
tRST
Reset Pulse Width
10
s
tRHSL
tREC
Reset Recovery Time
3
s
tSHRH
Chip should have been deselected
before Reset is de-asserted
10
ns
tWHSL
Write Protect Setup Time
50
ns
tSHWL
Write Protect Hold Time
100
ns
tDP
2
S to Deep Power-down
3
s
tRDP
2
S High to Standby Power mode
30
s
tPW
(3)
Page Write Cycle Time (256 Bytes)
11
25
ms
Page Write Cycle Time (n Bytes)
10.2+
n*0.8/256
tPP
(3)
Page Program Cycle Time (256 Bytes)
1.2
5ms
Page Program Cycle Time (n Bytes)
0.4+
n*0.8/256
tPE
Page Erase Cycle Time
10
20
ms
tSE
Sector Erase Cycle Time
1
5
s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M45PE10-VMP6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M45PE10-VMP6TP | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M464S3354BTS-C7A | 32M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA144 |
| M470T5663EH3-CF7 | DDR DRAM MODULE, ZMA200 |
| M470T6464EHS-CE6 | DDR DRAM MODULE, ZMA200 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M45PE10-VMP6TG | 功能描述:闪存 1 Mbit Lo Vltg Page Erasable Seral 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M45PE10-VMP6TP | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte-alterability and 75 MHz SPI bus interface |
| M45PE10-VMS6G | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SERIAL NOR - Trays |
| M45PE16 | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit, low-voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte alterability and a 50 MHz SPI bus interface |
| M45PE16-VMP6G | 功能描述:闪存 16 Mbit low-voltage RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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