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参数资料
| 型号： | M69AW024BL70ZB8T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM |
| 中文描述： | 16兆位（1米× 16）3V的异步移动存储芯片 |
| 文件页数： | 20/29页 |
| 文件大小： | 429K |
| 代理商： | M69AW024BL70ZB8T |
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M69AW024B
20/29
Figure 13. W Controlled, Continuous Write AC Waveforms
Note: 1. E2 must be High during the Write cycle.
Figure 14. E1 Controlled, Read/Write AC Waveforms
Note: 1. Write address is valid from the falling edge of either E1 or W, whichever occurs later.
AI07413C
VALID DATA INPUT
A0-A19
E1
G
DQ0-DQ15
ADDRESS VALID
ADDRESS VALID
tDVWH
tWHDX
tGHWL
tWLWL
tWLWH
tWHWL
tGHAX
tAVWL
W
UB, LB
tAVWL
ADDRESS VALID
tWLAX
tGHEL
tELWL
tWHBH
tGHQZ
tBLWL
tBLWL
tGHBH
AI07414C
WRITE DATA INPUT
A0-A19
E1
G
DQ0-DQ15
ADDRESS VALID
ADDRESS VALID
tDVEH
tEHDX
tGHEL
tWHEL
tELEL
tELEH1
tEHEL1
tEHAX
tAVEL
W
UB, LB
tAVEL
ADDRESS VALID
tELAX
tEHEL1
tEHQZ
tWLEL
tEHWH
tEHWL
tGLQX
tEHQX
READ DATA OUTPUT
tEHBH
tBLGL
tBLEL
tEHBH
ELGL
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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