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参数资料
| 型号： | M69AW024BL70ZB8T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM |
| 中文描述： | 16兆位（1米× 16）3V的异步移动存储芯片 |
| 文件页数： | 22/29页 |
| 文件大小： | 429K |
| 代理商： | M69AW024BL70ZB8T |
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M69AW024B
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Figure 17. G Controlled Read, W Controlled Write AC Waveforms 2
Note: 1. E1 can be tied to Low for W and G controlled operation. When E1 is tied to Low, output is exclusively controlled by G.
AI07417C
WRITE DATA INPUT
A0-A19
E1
G
DQ0-DQ15
READ ADDRESS
tGHQX
tAVGH
W
UB, LB
tGHAX
tWHAV
tGHQZ
tGHWL
tWHDX
READ DATA OUTPUT
WRITE ADDRESS
tAVWL
tBLWL
tGLQX
tAVGL1
tGLQV
Low
tWHBH
tBLGL
tGHBH
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M69AW024B | 16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM |
| M69AW048B | 32 Mbit (2M x16) 3V Asynchronous PSRAM |
| M69AW048BL70ZB8 | 32 Mbit (2M x16) 3V Asynchronous PSRAM |
| M6D-50 | DOUBLE-BALANCED MIXER |
| M6MGB331S4BKT | 33,554,432-BIT (2,097,152 - WORD BY 16-BIT/4,194,304-WORD BY 8-BIT) CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & 4,194,304-BIT (262,144-WORD BY 16-BIT/524,288-WORD B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M69AW048B | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit (2M x16) 3V Asynchronous PSRAM |
| M69AW048BL70ZB8 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| M69AW048BL70ZB8T | 功能描述:静态随机存取存储器 32 MBIT (2M X16) 3V Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| M69KB096AA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4M x16) 1.8V Supply, 80MHz Clock Rate, Burst PSRAM |
| M69KB096AA70CW8 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4M x16) 1.8V Supply, 80MHz Clock Rate, Burst PSRAM |
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