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参数资料
| 型号： | M7020R-050ZA1T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | CAP TANT 22UF 10V 20% POLY SMD |
| 中文描述： | 32K的× 68位进入网络搜索引擎 |
| 文件页数： | 142/150页 |
| 文件大小： | 996K |
| 代理商： | M7020R-050ZA1T |
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M7020R
142/150
SRAM WRITE with Table(s) of Up to 31 Devices
The following explains the SRAM WRITE opera-
tion done through a table(s) of up to 31 devices
with the following parameters (TLSZ = 10). The di-
agram of such table(s) is shown in Figure 104,
page 143. The following assumes that SRAM ac-
cess is done through M7020R Device 0 – Device
0 is the selected device. Figure 105, page 144 and
Figure 106, page 145 show the timing diagram for
Device 0 and Device 30, respectively.
–
Cycle 1A:
The host ASIC applies the WRITE In-
struction on CMD[1:0] using CMDV = 1. The DQ
Bus supplies the address with DQ[20:19] set to
'10' to select the SRAM address. The host ASIC
selects the device for which the ID[4:0] matches
the DQ[25:21] lines. The host ASIC also sup-
plies SADR[21:20] on CMD[8:7] in this cycle.
Note:
CMD[2] must be set to '0' for SRAM
WRITE because Burst WRITEs into the SRAM
are not supported.
–
Cycle 1B:
The host ASIC continues to apply the
WRITE Instruction on CMD[1:0] using CMDV =
1. The DQ Bus supplies the address with
DQ[20:19] set to '10' to select the SRAM ad-
dress.
Note:
CMD[2] must be set to '0' for SRAM
WRITE because Burst WRITEs into the SRAM
are not supported.
–
Cycle 2:
The host ASIC continues to drive
DQ[67:0]. The data in this cycle is not used by
the M7020R device.
–
Cycle 3:
The host ASIC continues to drive
DQ[67:0]. The data in this cycle is not used by
the M7020R device.
At the end of Cycle 3, a new command can begin.
The WRITE is a pipelined operation. The WRITE
Cycle appears at the SRAM Bus, however, with
the same latency as that of a SEARCH Instruction,
as measured from the second cycle of the WRITE
command
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