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参数资料
| 型号： | M7020R-050ZA1T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | CAP TANT 22UF 10V 20% POLY SMD |
| 中文描述： | 32K的× 68位进入网络搜索引擎 |
| 文件页数： | 35/150页 |
| 文件大小： | 996K |
| 代理商： | M7020R-050ZA1T |
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M7020R
Figure 18. Burst WRITE of the Data and Mask Arrays (BLEN = 4)
Table 22. (Single) WRITE Address Format for Data and Mask Arrays or SRAM
Note: 1.
“|” stands for Logical OR operation. “{ }” stands for concatenation operator.
DQ
[67:30]
DQ
[29]
DQ
[28:26]
DQ
[25:21]
DQ
[20:19]
DQ
[18:15]
DQ
[14:0]
Reserved
0: Direct
1: Indirect
Successful
SEARCH
Register
Index
(Applicable
if DQ[29] is
indirect)
ID
00: Data
Array
Reserved
If DQ[29] is ’0,’ this field carries the
address of the data array location.
If DQ[29] is ’1,’ the successful
search register specified by
DQ[28:26] supplies the address of
the data array location:
{SSR[14:2], SSR[1] | DQ[1], SSR[0]
| DQ[0]}
(1)
Reserved
0: Direct
1: Indirect
Successful
SEARCH
Register
Index
(Applicable
if DQ[29] is
indirect)
ID
01: Mask
Array
Reserved
If DQ[29] is ’0,’ this field carries
address of the mask array location.
If DQ[29] is ’1,’ the successful
search register specified by
DQ[28:26] supplies the address of
the mask array location:
{SSR[14:2], SSR[1] | DQ[1], SSR[0]
| DQ[0]}
(1)
Reserved
0: Direct
1: Indirect
Successful
SEARCH
Register
Index
(Applicable
if DQ[29] is
indirect)
ID
10:
External
SRAM
Reserved
If DQ[29] is ’0,’ this field carries
address of the data SRAM location.
If DQ[29] is ’1,’ the successful
search register specified by
DQ[28:26] supplies the address of
the SRAM location:
{SSR[14:2], SSR[1] | DQ[1], SSR[0]
| DQ[0]}
(1)
Cycle 1
Cycle 2
Cycle 3
Cycle 4
Cycle 5
Cycle 6
CLK2X
CMDV
CMD[1:0]
EOT
DQ
PHS_L
AI04285
Write
CMD[8:2]
B
A
Address
Data0
Data1
Data2
Data3
X
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PDF描述 |
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