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参数资料
| 型号： | MAX15018BASA+ |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 5/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSF DRVR HALF BRDG HS 8-SOIC |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 33ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 125V |
| 电源电压： | 8 V ~ 12.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN 裸露焊盘 |
| 包装： | 管件 |
125V/3A, High-Speed,
Half-Bridge MOSFET Drivers
Typical Operating Characteristics
(T A = +25°C, unless otherwise noted.)
V DD AND BST UNDERVOLTAGE LOCKOUT
V DD AND BST UNDERVOLTAGE LOCKOUT
UNDERVOLTAGE LOCKOUT RESPONSE
7.5
7.4
vs. TEMPERATURE
V DD RISING
0.60
0.58
HYSTERESIS vs. TEMPERATURE
(V DD RISING)
MAX15018 toc03
12V
V DD
2V/div
7.3
0.56
7.2
0.54
7.3V
7.1
7.0
6.9
6.8
6.7
V BST - V HS RISING
0.52
0.50
0.48
0.46
0.44
V DD
V BST - V HS
4V
V DH
5V/div
V DL
5V/div
6.6
6.5
0.42
0.40
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
UNDERVOLTAGE LOCKOUT RESPONSE
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
MAX15018A I DDO + I BSTO CURRENT
40 μ s/div
INTERNAL BOOTSTRAP
12V
(V DD FALLING)
MAX15018 toc04
5.0
4.5
vs. V DD (250kHz SWITCHING)
V DD = V BST
200
180
DIODE I-V CHARACTERISTICS
T A = -40 ° C
4.0
160
T A = 0 ° C
6.8V
4V
V DD
2V/div
3.5
3.0
2.5
140
120
100
T A = +25 ° C
T A = +125 ° C
V DH
5V/div
V DL
2.0
1.5
1.0
V DD FALLING
V DD RISING
80
60
40
T A = +150 ° C
5V/div
0.5
0
20
0
40 μ s/div
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V DD (V)
V DD - V BST (V)
MAX15018A V DD QUIESCENT CURRENT
vs. V DD (NO SWITCHING)
MAX15018A BST QUIESCENT CURRENT
vs. V BST (NO SWITCHING)
MAX15018A I DD AND I BST
vs. SWITCHING FREQUENCY
160
140
120
100
80
60
40
V DD FALLING
T A = +125°C
T A = +150°C
140
120
100
80
60
40
V BST FALLING
T A = +25°C
T A = +125°C
T A = 0°C
6
5
4
3
2
V DD = V BST = 12V
NO LOAD
I DD
I BST
20
0
T A = -40°C, 0°C, +25°C
20
0
T A = -40°C
1
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
0
200
400
600
800
1000
V DD (V)
V BST (V)
SWITCHING FREQUENCY (kHz)
_______________________________________________________________________________________
5
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MAX15018BASA+ | 功能描述:功率驱动器IC 125V/3A High-Speed Half-B MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MAX15018BASA+T | 功能描述:功率驱动器IC 125V/3A High-Speed Half-B MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MAX15019AASA+ | 功能描述:功率驱动器IC 125V/3A High-Speed Half-B MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MAX15019AASA+T | 功能描述:功率驱动器IC 125V/3A High-Speed Half-B MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MAX15019BASA+ | 功能描述:功率驱动器IC 125V/3A High-Speed Half-B MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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