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参数资料
| 型号： | MAX17030EVKIT+ |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 5/39页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVALUATION KIT FOR MAX17030 |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | Quick-PWM™ |
| 主要目的： | DC/DC，步降 |
| 输出及类型： | 1，非隔离 |
| 输出电压： | 0 ~ 1.5 V |
| 输入电压： | 7 ~ 26 V |
| 稳压器拓扑结构： | 降压 |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | MAX17030 |
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1/2/3-Phase Quick-PWM
IMVP-6.5 VID Controllers
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(Circuit of Figure 1, V IN = 10V, V CC = V DD = V SHDN = V PGD_IN = V PSI = V ILIM = 5V, V DPRSLPVR = V GNDS = 0, V CSP_ = V CSN_ =
1.0000V, FB = FBAC, R FBAC = 3.57k Ω from FBAC to CSN_, [D6–D0] = [0101000]; T A = 0°C to +85°C , unless otherwise noted.
Typical values are at T A = +25°C.)
PARAMETER
Phases 2, 3 Disable Threshold
CSP_, CSN_ Input Current
ILIM Input Current
SYMBOL
I CSP , I CSN
I ILIM
CONDITIONS
Measured at CSP2, CSP3
T A = +25 ° C
T A = +25 ° C
MIN
3
-0.2
-0.1
TYP
V CC -
1
MAX
V CC -
0.4
+0.2
+0.1
UNITS
V
μA
μA
(1/N) x (V CSP_ -
Droop Amplifier Offset
V CSN_ ) at I FBAC = 0; T A = +25°C
indicates
summation over all
power-up enabled
phases from 1 to N, T A = 0 ° C to +85°C
-0.5
-0.75
+0.5
+0.75
mV/
phase
N=3
I FBAC / [ (V CSP_ - V CSN_ )];
Droop Amplifier
Transconductance
G m(FBAC)
indicates summation over all power-up
enabled phases from 1 to N, N = 3,
393
400
406
μS
V FBAC = V CSN_ = 0.45V to 1.5V
Current-Monitor Offset
(1/N) x (V CSP_ - V CSN_ ) at I IMON = 0,
indicates summation over all power-up
enabled phases from 1 to N, N = 3
-1.1
+1
mV/
phase
I IMON / [ (V CSP_ - V CSN_ )];
Current-Monitor
Transconductance
G m(IMON)
indicates summation over all power-up
enabled phases from 1 to N, N = 3,
1.552
1.6
1.648
mS
V CSN_ = 0.45V to 1.5V
GATE DRIVERS
DH_ Gate-Driver On-Resistance
R ON(DH)
BST_ - LX_ forced
to 5V
High state (pullup)
Low state (pulldown)
0.9
0.7
2.5
2
DL_ Gate-Driver On-Resistance
DH_ Gate-Driver Source Current
DH_ Gate-Driver Sink Current
R ON(DL)
I DH(SOURCE)
I DH(SINK)
High state (pullup)
Low state (pulldown)
DH_ forced to 2.5V,
BST_ - LX_ forced to 5V
DH_ forced to 2.5V,
BST_ - LX_ forced to 5V
0.7
0.25
2.2
2.7
2
0.7
A
A
DL_ Gate-Driver Source Current
I DL(SOURCE) DL_ forced to 2.5V
2.7
A
DL_ Gate-Driver Sink Current
DL_ Transition Time
DH_ Transition Time
Internal BST_ Switch
On-Resistance
I DL(SINK)
R ON(BST)
DL_ forced to 2.5V
DL_ falling, C DL_ = 3nF
DL rising, C DL_ = 3nF
DH_ falling, C DH_ = 3nF
DH_ rising, C DH_ = 3nF
I BST_ = 10mA
8
20
20
20
20
10
20
A
ns
ns
_______________________________________________________________________________________
5
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