- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377893 > MB85396A-60 (Fujitsu Limited) CMOS 4M×36Bit Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4M×36位 同步动态RAM) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MB85396A-60 |
| 厂商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M×36Bit Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4M×36位 同步动态RAM) |
| 中文描述： | 4米× 36Bit的CMOS同步动态随机存取存储器（SDRAM）的CMOS（4分× 36位同步动态RAM）的 |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | MB85396A-60 |
2
MB85396A-60/MB85396A-70
I
PRODUCT LINE & FEATURES
Parameter
MB85396A-60
60 ns max.
110 ns min.
30 ns max.
15 ns max.
40 ns min.
5962 mW max.
66mW(CMOS) / 132mW(TTL)
MB85396A-70
70 ns max.
130 ns min.
35 ns max.
20 ns max.
45 ns min.
5148 mW max.
RAS Access Time
Random Cycle Time
Address Access Time
CAS Access Time
Fast Page Mode Cycle Time
Power Dissipation
Operating Mode
Standby Mode
Fast Page operation
Distributed refresh:
2,048 Refresh Cycles/32.8ms
Package and Ordering Information:
72-pad SIMM, order as
MB85396A–xxPJPBK
(PJPBK = Gold Pad)
I
PIN ASSIGNMENT
67
68
69
70
Pin # Symbol
PD1
PD2
PD3
PD4
-60
V
SS
NC
-70
V
SS
NC
V
SS
NC
NC
NC
Organization:
4,194,304 words x 36 bits (Parity)
Memory : MB8117400A, 8 pcs
MB814100C, 4 pcs
Decoupling Capacitor, 12 pcs
5.0 V
±
10% Supply Voltage
MSS-72P-P81
I
PACKAGE
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
A0
A2
A4
A6
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
A7
VCC
A9
RAS2
DQ8
DQ35
CAS0
CAS3
RAS0
NC
NC
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ32
DQ33
DQ34
NC
PD2
PD4
VSS
VSS
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
NC
A1
A3
A5
A10
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
NC
A8
NC
DQ26
DQ17
VSS
CAS2
CAS1
NC
WE
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
VCC
DQ14
DQ15
DQ16
PD1
PD3
NC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB85396A-70 | CMOS 4M×36Bit Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4M×36位 同步动态RAM) |
| MB85502-012 | CMOS 8M×36Bit Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 8M×36位 同步动态RAM) |
| MB85502-015 | CMOS 8M×36Bit Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 8M×36位 同步动态RAM) |
| MB85R1002 | Memory FRAM |
| MB85R1002PFTN | Memory FRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MB85AS4MTPF-G-BCERE1 | 功能描述:IC RERAM 4MBIT 5MHZ 8SOP 制造商:fujitsu electronics america, inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 技术:ReRAM（电阻式 RAM） 存储容量:4Mb （512K x 8） 时钟频率:5MHz 写周期时间 - 字，页:17ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） 供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 |
| MB85R1001 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8) |
| MB85R1001_08 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8) |
| MB85R1001_09 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K × 8) |
| MB85R1001A | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K x 8) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。