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参数资料
| 型号： | MB85396A-60 |
| 厂商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M×36Bit Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4M×36位 同步动态RAM) |
| 中文描述： | 4米× 36Bit的CMOS同步动态随机存取存储器（SDRAM）的CMOS（4分× 36位同步动态RAM）的 |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | MB85396A-60 |
8
MB85396A-60/MB85396A-70
I
CAPACITANCE
(T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
Max.
Parameter
Symbol
Min.
Unit
Input Capacitance, A0 to A10
C
IN1
—
85
pF
Input Capacitance, RAS0 and RAS2
C
IN2
—
46
pF
Input Capacitance, CAS0 to CAS3
C
IN3
—
27
pF
Input Capacitance, WE
C
IN4
—
83
pF
I/O Capacitance, (DQ0-7, DQ9-16, DQ18-25, DQ27-34)
C
DQ1
—
12
pF
I/O Capacitance, (DQ8, DQ17, DQ26, DQ35)
C
DQ2
—
13
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB85396A-70 | CMOS 4M×36Bit Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4M×36位 同步动态RAM) |
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| MB85R1002 | Memory FRAM |
| MB85R1002PFTN | Memory FRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MB85AS4MTPF-G-BCERE1 | 功能描述:IC RERAM 4MBIT 5MHZ 8SOP 制造商:fujitsu electronics america, inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 技术:ReRAM（电阻式 RAM） 存储容量:4Mb （512K x 8） 时钟频率:5MHz 写周期时间 - 字，页:17ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） 供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 |
| MB85R1001 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8) |
| MB85R1001_08 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8) |
| MB85R1001_09 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K × 8) |
| MB85R1001A | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K x 8) |
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