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参数资料
| 型号： | MC9328MX21CVK |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 44/100页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU I.MX21 266MHZ 289-MAPBGA |
| 标准包装： | 152 |
| 系列： | i.MX21 |
| 核心处理器： | ARM9 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 266MHz |
| 连通性： | 1 线，EBI/EMI，I²C，IrDA，MMC，智能卡，SPI，SSI，UART/USART，USB OTG |
| 外围设备： | DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 192 |
| 程序存储器类型： | ROMless |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.45 V ~ 3.3 V |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 289-LFBGA |
| 包装： | 托盘 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页当前第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页
MC9328MX21 Technical Data, Rev. 3.4
48
Freescale Semiconductor
Specifications
Figure 39. SDRAM Write Cycle Timing Diagram
4S
Address setup time
3.67
–
2
–
ns
4H
Address hold time
2.95
–
2
–
ns
5
SDRAM access time (CL = 3)
–
5.4
–
5.4
ns
5
SDRAM access time (CL = 2)
–
6.0
–
6.0
ns
5
SDRAM access time (CL = 1)
–
ns
6
Data out hold time
2
–
2
–ns
7
Data out high-impedance time (CL = 3)
–
tHZ1
–tHZ1
ns
7
Data out high-impedance time (CL = 2)
–
tHZ1
–tHZ1
ns
7
Data out high-impedance time (CL = 1)
–
ns
8
Active to read/write command period (RC = 1)
tRCD2
–tRCD2
–ns
1. tHZ = SDRAM data out high-impedance time, external SDRAM memory device dependent parameter.
2. tRCD = SDRAM clock cycle time. The tRCD setting can be found in the i.MX21 reference manual.
Table 31. SDRAM Read Cycle Timing Parameter (Continued)
Ref
No.
Parameter
1.8 V
± 0.1 V
3.0 V
± 0.3 V
Unit
Minimum
Maximum
Minimum
Maximum
SDCLK
CS
CAS
WE
RAS
ADDR
DQ
DQM
/ BA
ROW/BA
3
4
6
1
COL/BA
DATA
2
5
7
8
9
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