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参数资料
| 型号： | MCH6613-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V 350MA MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 350mA，200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.7 欧姆 @ 80mA，4V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.58nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，无引线 |
| 供应商设备封装： | 6-MCPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MCH6613
Switching Time Test Circuit
[N-channel]
VDD=15V
[P-channel]
VDD= --15V
VIN
4V
0V
PW=10 μ s
VIN
D
ID=80mA
RL=187.5 Ω
VOUT
VIN
0V
--4V
PW=10 μ s
VIN
D
ID= --50mA
RL=300 Ω
VOUT
D.C. ≤ 1%
G
D.C. ≤ 1%
G
P.G
50 Ω
S
MCH6613
P.G
50 Ω
S
MCH6613
0.16
ID -- VDS
[Nch]
--0.10
ID -- VDS
[Pch]
- -3.5 V
0.14
0.12
3.5V
4.0V
2
.0V
--0.09
--0.08
--2
.5
V
--0.07
0.10
0.08
--0.06
--0.05
--2.0V
0.06
VGS=1.5V
--0.04
--0.03
0.04
0.02
0
--0.02
--0.01
0
VGS= --1.5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
0.30
Drain to Source Voltage, VDS -- V
ID -- VGS
IT00029
[Nch]
--0.20
Drain to Source Voltage, VDS -- V
ID -- VGS
IT00077
[Pch]
VDS=10V
--0.18
VDS= --10V
0.25
--0.16
25 ° C
0.20
0.15
--0.14
--0.12
--0.10
--0.08
0.10
--0.06
0.05
0
--0.04
--0.02
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
Gate to Source Voltage, VGS -- V
IT00030
Gate to Source Voltage, VGS -- V
IT00078
No.6920-3/8
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PDF描述 |
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