参数资料
型号: MCH6613-TL-E
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH 30V 350MA MCPH6
标准包装: 3,000
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 350mA,200mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.7 欧姆 @ 80mA,4V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1.58nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 7pF @ 10V
功率 - 最大: 800mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-SMD,无引线
供应商设备封装: 6-MCPH
包装: 带卷 (TR)
MCH6613
mm
Outline Drawing
MCH6613-TL-E
Mass (g) Unit
0.008
* For reference
Land Pattern Example
0.4
0.65 0.65
Unit: mm
No.6920-7/8
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PDF描述
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