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参数资料
| 型号： | MCH6613-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V 350MA MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 350mA，200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.7 欧姆 @ 80mA，4V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.58nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，无引线 |
| 供应商设备封装： | 6-MCPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MCH6613
7
RDS(on) -- Ta
[Nch]
18
RDS(on) -- Ta
[Pch]
6
16
5
=2.
V GS
4.0V
40m
I D= S=
A, VG
I D=
2.5
V GS
30m
= --
I D=
V GS
50m
I D=
5
4
3
A,
80m
V
14
12
10
8
--
A,
A,
= --
V
-- 4.0
V
2
6
1
0
4
2
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
1.0
Ambient Temperature, Ta -- ° C
| y fs | -- ID
IT00035
[Nch]
1.0
Ambient Temperature, Ta -- ° C
| y fs | -- ID
IT00083
[Pch]
7
5
VDS=10 V
7
5
VDS= --10V
Ta= --
3
2
0.1
Ta= --
25 ° C
75 ° C
25°C
3
2
0.1
2
5 ° C
25°C
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
0.01
75 ° C
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
1.0
7
Drain Current, ID -- A
IS -- VSD
IT00036
[Nch]
VGS=0V
5
Drain Current, ID -- A
IS -- VSD
IT00084
[Pch]
VGS=0 V
5
3
3
2
2
--0.1
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
--0.01
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
Diode Forward Voltage, VSD -- V
SW Time -- ID
Diode Forward Voltage, VSD -- V
1000
7
5
3
IT00037
[Nch]
VDD=15V
VGS=4V
1000
7
5
3
SW Time -- ID [Pch]
IT00085
VDD= --15V
VGS= --4V
2
td (off)
tf
2
td(off)
tf
100
100
7
5
3
2
10
tr
td(on)
7
5
3
2
10
tr
td(on)
0.01
2
3
5
7
0.1
2
--0.01
2
3
5
7
--0.1
Drain Current, ID -- A
IT00038
Drain Current, ID -- A
IT00086
No.6920-5/8
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PDF描述 |
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