参数资料
型号: MCH6613-TL-E
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH 30V 350MA MCPH6
标准包装: 3,000
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 350mA,200mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.7 欧姆 @ 80mA,4V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1.58nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 7pF @ 10V
功率 - 最大: 800mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-SMD,无引线
供应商设备封装: 6-MCPH
包装: 带卷 (TR)
MCH6613
10
RDS(on) -- VGS
[Nch]
30
RDS(on) -- VGS
[Pch]
9
8
7
6
5
80mA
Ta=25 ° C
25
20
15
Ta=25°C
4
ID= --30mA
- -50mA
3
2
1
0
ID=40mA
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
Gate to Source Voltage, VGS -- V
IT00031
Gate to Source Voltage, VGS -- V
IT00079
10
RDS(on) -- ID
[Nch]
100
RDS(on) -- ID
[Pch]
7
VGS=4V
7
5
VGS= --4V
3
5
2
T a=75       °C
3
25 ° C
10
Ta=75 ° C
2
--25°C
7
5
--25 ° C
25 ° C
3
2
1.0
1.0
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
10
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- ID
IT00032
[Nch]
100
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- ID
IT00080
[Pch]
7
VGS=2.5V
7
5
VGS= --2.5V
5
Ta=75°C
3
25 ° C
2
Ta=75°C
3
--25 ° C
10
7
25 °C
--25°C
5
2
3
2
1.0
1.0
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
100
7
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- ID
IT00033
[Nch]
VGS=1.5V
1000
7
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- ID
IT00081
[Pch]
VGS= --1.5V
5
3
2
5
3
2
10
7
5
Ta=75°C
--25°C
100
7
5
3
25°C
3
Ta=75°C
2
1.0
2
10
--25°C
25°C
0.001
2
3
5
7
0.01
2
3
5
--0.0001
2
3
5
7
--0.001
2
3
Drain Current, ID -- A
IT00034
Drain Current, ID -- A
IT00082
No.6920-4/8
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