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参数资料
| 型号： | MCIMX31VMN5CR2 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 39/122页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MPU MAP I.MX31L 473-MAPBGA |
| 标准包装： | 750 |
| 系列： | i.MX31 |
| 核心处理器： | ARM11 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 532MHz |
| 连通性： | 1 线，ATA，EBI/EMI，FIR，I²C，MMC/SD，PCMCIA，SIM，SPI，SSI，UART/USART，USB，USB OTG |
| 外围设备： | DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
| 程序存储器类型： | ROMless |
| RAM 容量： | 16K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.22 V ~ 3.3 V |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 473-LFBGA |
| 包装： | 带卷 (TR) |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页当前第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页
Electrical Characteristics
MCIMX31/MCIMX31L Technical Data, Rev. 4.1
Freescale Semiconductor
23
The MCIMX31 I/O parameters appear in Table 16 for DDR (Double Data Rate). See Table 8, "Operating
Ranges," on page 13 for temperature and supply voltage ranges.
NOTE
NVCC for Table 16 refers to NVCC2, NVCC21, and NVCC22.
Low-level output current, slow slew rate
IOL_S
VOL=0.2*NVCC
Std Drive
High Drive
Max Drive
2
4
8
——
mA
Low-level output current, fast slew rate
IOL_F
VOL=0.2*NVCC
Std Drive
High Drive
Max Drive
4
6
8
——
mA
High-Level DC input voltage
VIH
—
0.7*NVCC
—
NVCC
V
Low-Level DC input voltage
VIL
—0
—
0.3*QVCC
V
Input Hysteresis
VHYS
Hysteresis enabled
0.25
—
V
Schmitt trigger VT+
VT +
Hysteresis enabled
0.5*QVCC
—
V
Schmitt trigger VT–
VT –
Hysteresis enabled
—
0.5*QVCC
V
Pull-up resistor (100 k
Ω PU)
RPU
—
100
—
k
Ω
Pull-down resistor (100 k
Ω PD)
RPD
—
100
—
Input current (no PU/PD)
IIN
VI = NVCC or GND
—
±1
μA
Input current (100 k
Ω PU)
IIN
VI = 0
VI = NVCC
——
25
0.1
μA
Input current (100 k
Ω PD)
IIN
VI = 0
VI = NVCC
—
0.25
28
μA
Tri-state leakage current
IOZ
VI = NVCC or GND
I/O = High Z
——
±2
μA
Table 16. DDR (Double Data Rate) I/O DC Electrical Parameters
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
High-level output voltage
VOH
IOH = –1 mA
NVCC –0.12
—
V
IOH = specified Drive
0.8*NVCC
—
V
Low-level output voltage
VOL
IOL = 1 mA
—
0.08
V
IOL = specified Drive
—
0.2*NVCC
V
High-level output current
IOH
VOH=0.8*NVCC
Std Drive
High Drive
Max Drive
DDR Drive1
–3.6
–7.2
–10.8
–14.4
——
mA
Table 15. GPIO DC Electrical Parameters (continued)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Because
of
an
order
from
the
United
States
International
Trade
Commission,
BGA-packaged
product
lines
and
part
numbers
indicated
here
currently
are
not
available
from
Freescale
for
import
or
sale
in
the
United
States
prior
to
September
2010:
i.MX31
Product
Family
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCIMX31WPDK | 功能描述:开发板和工具包 - ARM I.MX31 WINCE PDK RoHS:否 制造商:Arduino 产品:Development Boards 工具用于评估:ATSAM3X8EA-AU 核心:ARM Cortex M3 接口类型:DAC, ICSP, JTAG, UART, USB 工作电源电压:3.3 V |
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