参数资料
| 型号： | MCP662-E/MS |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 19/62页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OP AMP 60MHZ DUAL 8-MSOP |
| 标准包装： | 100 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 32 V/µs |
| 增益带宽积： | 60MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 6pA |
| 电压 - 输入偏移： | 1800µV |
| 电流 - 电源： | 6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 80mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.5 V ~ 5.5 V，±1.25 V ~ 2.75 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 管件 |
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MCP660/1/2/3/4/5/9
DS22194C-page 26
2009-2011 Microchip Technology Inc.
4.8
Typical Applications
4.8.1
50
Ω LINE DRIVER
Figure 4-10 shows the MCP661 driving a 50
Ω line. The
large output current (e.g., see Figure 2-18) makes it
possible to drive a back-matched line (RM2, the 50Ω
line and the 50
Ω load at the far end) to more than ±2V
(the load at the far end sees ±1V). It is worth mention-
ing that the 50
Ω line and the 50Ω load at the far end
together can be modeled as a simple 50
Ω resistor to
ground.
FIGURE 4-10:
50
Ω Line Driver.
The output headroom limits would be VOL = -2.3V and
room for the ±2V signal. The open-loop gain (AOL)
typically does not decrease significantly with a 100
Ω
load (see Figure 2-11). The maximum power dissipated
is about 48 mW (see Section 4.2.3 “Power
Dissipation”), so the temperature rise (for the
MCP661 in the SOIC-8 package) is under 8°C.
4.8.2
OPTICAL DETECTOR AMPLIFIER
Figure 4-11 shows a transimpedance amplifier, using
the MCP661 op amp, in a photo detector circuit. The
photo detector is a capacitive current source. RF pro-
vides enough gain to produce 10 mV at VOUT. CF stabi-
lizes the gain and limits the transimpedance bandwidth
to about 1.1 MHz. The parasitic capacitance of RF (e.g.,
0.2 pF for a 0805 SMD) acts in parallel with CF.
FIGURE 4-11:
Transimpedance Amplifier
for an Optical Detector.
4.8.3
H-BRIDGE DRIVER
Figure 4-12 shows the MCP662 dual op amp used as
an H-bridge driver. The load could be a speaker or a
DC motor.
FIGURE 4-12:
H-Bridge Driver.
This circuit automatically makes the noise gains (GN)
equal, when the gains are set properly, so that the fre-
quency responses match well (in magnitude and in
RGB so that both op amps have the same DC gains;
GDM needs to be selected first.
EQUATION 4-7:
Equation 4-8 gives the resulting Common mode and
Differential mode output voltages.
EQUATION 4-8:
RF
301
Ω
RG
301
Ω
RM1
49.9
Ω
50
Ω
RM2
49.9
Ω
50
Ω
Line
+2.5V
-2.5V
MCP66X
Photo
Detector
CD
CF
RF
VDD/2
30pF
100 k
Ω
1.5 pF
ID
100 nA
VOUT
MCP661
RF
VIN
VOT
RF
RGB
VOB
VDD/2
RGT
RL
MCP662
G
DM
V
OT
V
OB
–
V
IN
V
DD 2
–
--------------------------------
1 V/V
≥
≡
R
GT
R
F
G
DM 2
() 1
–
---------------------------------
=
R
GB
R
F
G
DM 2
-------------------
=
V
OT
V
+
OB
2
---------------------------
V
DD
2
-----------
=
V
OT
V
–
OB
G
DM VIN
V
DD
2
-----------
–
=
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| MCP662T-E/MS | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 60MHz OP E Temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP662T-E/SN | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP663-E/SN | 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP w /CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP663T-E/CHY | 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP w/CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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