参数资料
| 型号： | MCP662-E/MS |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 8/62页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OP AMP 60MHZ DUAL 8-MSOP |
| 标准包装： | 100 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 32 V/µs |
| 增益带宽积： | 60MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 6pA |
| 电压 - 输入偏移： | 1800µV |
| 电流 - 电源： | 6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 80mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.5 V ~ 5.5 V，±1.25 V ~ 2.75 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 管件 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页当前第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页
MCP660/1/2/3/4/5/9
DS22194C-page 16
2009-2011 Microchip Technology Inc.
Note: Unless indicated, TA = +25°C, VDD = +2.5V to 5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/3, VOUT = VDD/2, VL = VDD/2,
RL = 1 kΩ to VL, CL = 20 pF and CS = VSS.
2.6
Chip Select Response
FIGURE 2-42:
CS Current vs. Power
Supply Voltage.
FIGURE 2-43:
CS and Output Voltages vs.
Time with VDD = 2.5V.
FIGURE 2-44:
CS and Output Voltages vs.
Time with VDD = 5.5V.
FIGURE 2-45:
CS Hysteresis vs. Ambient
Temperature.
FIGURE 2-46:
CS Turn On Time vs.
Ambient Temperature.
FIGURE 2-47:
CS’s Pull-down Resistor
(RPD) vs. Ambient Temperature.
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
Power Supply Voltage (V)
C
S
Cu
rr
en
t
(
A)
CS = VDD
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Time (s)
CS
,V
OU
T(V
)
VDD = 2.5V
G = 1
VL = 0V
On
CS
VOUT
Off
-1
0
1
2
3
4
5
6
01
23
4
5
67
89
10
Time (s)
CS
,V
OU
T(V
)
VDD = 5.5V
G = 1
VL = 0V
On
CS
VOUT
Off
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
C
S
H
yst
er
esis
(
V
)
VDD = 2.5V
VDD = 5.5V
0
1
2
3
4
5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
C
S
Tu
rn
O
n
Tim
e(
s)
VDD = 2.5V
VDD = 5.5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
-25
0
255075
100
125
Ambient Temperature (°C)
C
S
Pu
ll-
d
o
w
n
R
e
sis
to
r
(M
)
Representative Part
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP669T-E/ML | IC OPAMP QUAD 60MHZ 16QFN |
| MCP6H04T-E/SL | IC OPAMP QUAD16V 1.2MHZ 14SOIC |
| MCP6N11T-100E/SN | IC AMP INSTR RRIO 35MHZ 8SOIC |
| MCP6V11T-E/OT | IC OPAMP SGL ZERO DRIFT SOT23-5 |
| MCP6V27T-E/SN | IC OPAMP DUAL AUTO-ZERO 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP662T-E/MF | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP662T-E/MS | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 60MHz OP E Temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP662T-E/SN | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP663-E/SN | 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP w /CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP663T-E/CHY | 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP w/CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。