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参数资料
型号： MCP662-E/MS
厂商： Microchip Technology
文件页数： 45/62页
文件大小： 0K
描述： IC OP AMP 60MHZ DUAL 8-MSOP
标准包装： 100
放大器类型： 通用
电路数： 2
输出类型： 满摆幅
转换速率： 32 V/µs
增益带宽积： 60MHz
电流 - 输入偏压： 6pA
电压 - 输入偏移： 1800µV
电流 - 电源： 6mA
电流 - 输出 / 通道： 80mA
电压 - 电源，单路/双路(±)： 2.5 V ~ 5.5 V，±1.25 V ~ 2.75 V
工作温度： -40°C ~ 125°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商设备封装： 8-MSOP
包装： 管件
2009-2011 Microchip Technology Inc.
DS22194C-page 5
MCP660/1/2/3/4/5/9
TABLE 1-3:
DIGITAL ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Electrical Characteristics: Unless indicated, TA = +25°C, VDD = +2.5V to +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,
VOUT ≈ VDD/2, VL = VDD/2, RL = 1 kΩ to VL, CL = 20 pF and CS = VSS (refer to Figure 1-1 and Figure 1-2).
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
CS Low Specifications
CS Logic Threshold, Low
VIL
VSS
—0.2VD
D
V
CS Input Current, Low
ICSL
—-0.1—
nA
CS = 0V
CS High Specifications
CS Logic Threshold, High
VIH
0.8VD
D
VDD
V
CS Input Current, High
ICSH
—-0.7—
A
CS = VDD
GND Current
ISS
-2
-1
—A
CS Internal Pull Down Resistor
RPD
—5
—
M
Ω
Amplifier Output Leakage
IO(LEAK
)
—40—
nA
CS = VDD, TA = +125°C
CS Dynamic Specifications
CS Input Hysteresis
VHYST
—
0.25
—
V
CS High to Amplifier Off Time
(output goes High-Z)
tOFF
—
200
—
ns
G = +1 V/V, VL = VSS
CS = 0.8VDD to VOUT = 0.1(VDD/2)
CS Low to Amplifier On Time
tON
—2
10
s
G = +1 V/V, VL = VSS,
CS = 0.2VDD to VOUT = 0.9(VDD/2)
TABLE 1-4:
TEMPERATURE SPECIFICATIONS
Electrical Characteristics: Unless indicated, all limits are specified for: VDD = +2.5V to +5.5V, VSS = GND.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Temperature Ranges
Specified Temperature Range
TA
-40
—
+125
°C
Operating Temperature Range
TA
-40
—
+125
°C
(Note 1)
Storage Temperature Range
TA
-65
—
+150
°C
Thermal Package Resistances
Thermal Resistance, 5L-SOT-23
θJA
—
220.7
—
°C/W
Thermal Resistance, 6L-SOT-23
θJA
—
190.5
—
°C/W
Thermal Resistance, 8L-3x3 DFN
θJA
—
56.7
—
°C/W (Note 2)
Thermal Resistance, 8L-SOIC
θJA
—
149.5
—
°C/W
Thermal Resistance, 8L-2x3 TDFN
θJA
—
52.5
—
°C/W
Thermal Resistance, 10L-3x3 DFN
θJA
—
53.3
—
°C/W (Note 2)
Thermal Resistance, 10L-MSOP
θJA
—202
—
°C/W
Thermal Resistance, 14L-SOIC
θJA
—
95.3
—
°C/W
Thermal Resistance, 14L-TSSOP
θJA
—100
—
°C/W
Thermal Resistance, 16L-QFN
θJA
—
45.7
—
°C/W
Note 1:
Operation must not cause TJ to exceed Maximum Junction Temperature specification (+150°C).
2:
Measured on a standard JC51-7, four layer printed circuit board with ground plane and vias.
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
MCP662T-E/MF 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
MCP662T-E/MS 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 60MHz OP E Temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
MCP662T-E/SN 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
MCP663-E/SN 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP w /CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
MCP663T-E/CHY 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP w/CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
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