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参数资料
型号： MCP662-E/MS
厂商： Microchip Technology
文件页数： 60/62页
文件大小： 0K
描述： IC OP AMP 60MHZ DUAL 8-MSOP
标准包装： 100
放大器类型： 通用
电路数： 2
输出类型： 满摆幅
转换速率： 32 V/µs
增益带宽积： 60MHz
电流 - 输入偏压： 6pA
电压 - 输入偏移： 1800µV
电流 - 电源： 6mA
电流 - 输出 / 通道： 80mA
电压 - 电源，单路/双路(±)： 2.5 V ~ 5.5 V，±1.25 V ~ 2.75 V
工作温度： -40°C ~ 125°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商设备封装： 8-MSOP
包装： 管件
2009-2011 Microchip Technology Inc.
DS22194C-page 7
MCP660/1/2/3/4/5/9
2.0
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Note: Unless indicated, TA = +25°C, VDD = +2.5V to 5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/3, VOUT = VDD/2, VL = VDD/2,
RL = 1 kΩ to VL, CL = 20 pF and CS = VSS.
2.1
DC Signal Inputs
FIGURE 2-1:
Input Offset Voltage.
FIGURE 2-2:
Input Offset Voltage Drift.
FIGURE 2-3:
Input Offset Voltage vs.
Power Supply Voltage with VCM = 0V.
FIGURE 2-4:
Input Offset Voltage vs.
Output Voltage.
FIGURE 2-5:
Low Input Common Mode
Voltage Headroom vs. Ambient Temperature.
FIGURE 2-6:
High Input Common Mode
Voltage Headroom vs. Ambient Temperature.
Note:
The graphs and tables provided following this note are a statistical summary based on a limited number of
samples and are provided for informational purposes only. The performance characteristics listed herein
are not tested or guaranteed. In some graphs or tables, the data presented may be outside the specified
operating range (e.g., outside specified power supply range) and therefore outside the warranted range.
0%
2%
4%
6%
8%
10%
12%
14%
16%
18%
20%
22%
-6 -5 -4 -3 -2 -1
0
1
2
3
4
5
6
Input Offset Voltage (mV)
P
e
rcen
ta
g
e
o
f
O
cc
u
rr
en
ce
s
100 Samples
TA = +25°C
VDD = 2.5V and 5.5V
0%
2%
4%
6%
8%
10%
12%
14%
16%
18%
20%
22%
24%
-12 -10 -8 -6 -4 -2
0
2
4
6
8 10 12
Input Offset Voltage Drift (V/°C)
P
e
rc
e
n
ta
g
e
o
f
Oc
cu
rr
e
n
ce
s
100 Samples
VDD = 2.5V and 5.5V
TA = -40°C to +125°C
-2.0
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
1.52.0 2.53.0 3.54.0 4.55.0 5.56.0 6.5
Power Supply Voltage (V)
In
pu
tO
ff
set
V
o
lt
ag
e
(m
V
)
+125°C
+85°C
+25°C
-40°C
Representative Part
VCM = VSS
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
Output Voltage (V)
In
p
u
tO
ff
se
tVo
lt
ag
e
(m
V
)
VDD = 2.5V
VDD = 5.5V
Representative Part
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
L
o
w
Input
C
o
mmon
M
ode
H
e
ad
room
(V
)
VDD = 2.5V
1 Lot
Low (VCMR_L – VSS)
VDD = 5.5V
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
H
ig
h
In
p
u
tC
o
mmo
n
Mode
H
ea
d
ro
om
(V
)
VDD = 2.5V
VDD = 5.5V
1 Lot
High (VDD – VCMR_H)
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参数描述
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MCP662T-E/MS 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 60MHz OP E Temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
MCP662T-E/SN 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
MCP663-E/SN 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP w /CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
MCP663T-E/CHY 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP w/CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
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