参数资料
| 型号： | MCP662-E/MS |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 61/62页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OP AMP 60MHZ DUAL 8-MSOP |
| 标准包装： | 100 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 32 V/µs |
| 增益带宽积： | 60MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 6pA |
| 电压 - 输入偏移： | 1800µV |
| 电流 - 电源： | 6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 80mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.5 V ~ 5.5 V，±1.25 V ~ 2.75 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 管件 |
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MCP660/1/2/3/4/5/9
DS22194C-page 8
2009-2011 Microchip Technology Inc.
Note: Unless indicated, TA = +25°C, VDD = +2.5V to 5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/3, VOUT = VDD/2, VL = VDD/2,
RL = 1 kΩ to VL, CL = 20 pF and CS = VSS.
FIGURE 2-7:
Input Offset Voltage vs.
Common Mode Voltage with VDD = 2.5V.
FIGURE 2-8:
Input Offset Voltage vs.
Common Mode Voltage with VDD = 5.5V.
FIGURE 2-9:
CMRR and PSRR vs.
Ambient Temperature.
FIGURE 2-10:
DC Open-Loop Gain vs.
Ambient Temperature.
FIGURE 2-11:
DC Open-Loop Gain vs.
Load Resistance.
FIGURE 2-12:
Input Bias and Offset
Currents vs. Ambient Temperature with
VDD = +5.5V.
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-0
.5
0.
0
0.5
1.0
1.5
2.
0
2.
5
3.0
Input Common Mode Voltage (V)
In
p
u
tO
ff
set
Vo
lt
ag
e
(
m
V
)
VDD = 2.5V
Representative Part
-40°C
+25°C
+85°C
+125°
C
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-0
.5
0.
0
0.
5
1.
0
1.
5
2.
0
2.
5
3.
0
3.
5
4.
0
4.
5
5.
0
5.
5
6.
0
Input Common Mode Voltage (V)
In
p
u
tO
ff
set
Vo
lt
ag
e
(
m
V)
VDD = 5.5V
Representative Part
+125°
C
+85°C
+25°C
40°C
60
65
70
75
80
85
90
95
100
105
110
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
C
M
RR
,P
S
RR
(d
B)
PSRR
CMRR, VDD = 2.5V
CMRR, VDD = 5.5V
100
105
110
115
120
125
130
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
D
C
O
p
e
n
-L
o
p
Ga
in
(d
B
)
VDD = 5.5V
VDD = 2.5V
95
100
105
110
115
120
125
130
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E+05
Load Resistance ()
D
C
Op
en
-L
o
p
Ga
in
(d
B
)
VDD = 5.5V
VDD = 2.5V
100
1k
10k
100k
1.E-12
1.E-11
1.E-10
1.E-09
1.E-08
25
45
65
85
105
125
Ambient Temperature (°C)
In
p
u
tBi
as
,O
ff
se
tCu
rr
e
n
ts
(p
A)
VDD = 5.5V
VCM = VCMR_H
| IOS |
IB
1p
10p
100p
1n
10n
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MCP662T-E/MS | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 60MHz OP E Temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP662T-E/SN | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP663-E/SN | 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP w /CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP663T-E/CHY | 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP w/CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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