参数资料
型号: MD7IC18120GNR1
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 10/18页
文件大小: 0K
描述: IC PWR AMP RF LDMOS TO270-16
标准包装: 500
频率: 1.805GHz ~ 1.88GHz
P1dB: 50.8dBm(120W)
增益: 25.8dB
RF 型: W-CDMA
电源电压: 28V
测试频率: 1.88GHz
封装/外壳: TO-270-16 变型,鸥翼
包装: 带卷 (TR)
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
60
58
56
54
52
50
48
46
V DD = 28 Vdc, I DQ1B = 120 mA, I DQ2B = 450 mA, Pulsed CW,
10 μ sec(on), 10% Duty Cycle
Ideal
Actual
1805 MH z
1840 MH z
44
42
40
1840 MH z
1805 MH z
1880 MH z
1880 MH z
38
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
P in , INPUT POWER (dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
f
P1dB
P3dB
(MHz)
1805
1840
1880
Watts
70
69
74
dBm
48.5
48.4
48.7
Watts
89
89
85
dBm
49.5
49.5
49.3
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Z source
?
Z load
?
1805
1840
1880
P1dB
P1dB
P1dB
56.20 -- j3.50
60.80 + j6.10
57.90 + j12.00
2.80 -- j5.40
2.80 -- j5.40
2.40 -- j5.60
Figure 14. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
NOTE: Measurement made on the Class AB, carrier side of the device.
MD7IC18120NR1 MD7IC18120GNR1
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
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参数描述
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MD7IC2012GNR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7IC 2GHZ12W TO270WB14G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
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MD7IC2050NBR1 功能描述:功率放大器 HV7IC 2100MHZ TO272WB14 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封装 / 箱体: 工作电源电压:28 V 电源电流:2.5 A 工作温度范围: 封装: