参数资料
型号: MD7IC18120GNR1
厂商: Freescale Semiconductor
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描述: IC PWR AMP RF LDMOS TO270-16
标准包装: 500
频率: 1.805GHz ~ 1.88GHz
P1dB: 50.8dBm(120W)
增益: 25.8dB
RF 型: W-CDMA
电源电压: 28V
测试频率: 1.88GHz
封装/外壳: TO-270-16 变型,鸥翼
包装: 带卷 (TR)
TYPICAL CHARACTERISTICS
1805 MHz 1840 MHz
28
27
G ps
1880 MHz
1805 MHz
60
50
0
--10
ACPR
26
25
24
23
V DD = 28 Vdc, I DQ1A = 70 mA, I DQ1B = 160 mA
I DQ2B = 500 mA, V GS2A = 1.7 Vdc
Single--Carrier W--CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @
0.01% Probability on CCDF
1840 MHz
1880 MHz
1805 MHz
40
30
20
10
--20
--30
--40
--50
22
1
PAE
10
0
100
--60
P out , OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 8. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Power Added
Efficiency and ACPR versus Output Power
30
0
25
20
15
10
5
0
IRL
Gain
V DD = 28 Vdc
P in = 0 dBm
I DQ1A = 70 mA, I DQ1B = 160 mA
I DQ2B = 500 mA, V GS2A = 1.7 Vdc
--6
--12
--18
--24
--30
--36
1500
1625
1750
1875
2000
2125
2250
2375
2500
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 9. Broadband Frequency Response
W--CDMA TEST SIGNAL
100
10
10
1
0.1
0.01
Input Signal
0
--10
--20
--30
--40
--50
3.84 MHz
Channel BW
0.001
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @ ± 5 MHz Offset.
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
--60
--70
--ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
0.0001
0
Probability on CCDF
1 2 3 4 5 6 7 8 9
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 10. CCDF W--CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single--Carrier Test Signal
10
--80
--90
--100
--9
--7.2 --5.4
--3.6 --1.8 0 1.8
f, FREQUENCY (MHz)
3.6
5.4
7.2
9
Figure 11. Single--Carrier W--CDMA Spectrum
MD7IC18120NR1 MD7IC18120GNR1
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
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参数描述
MD7IC18120NR1 功能描述:射频放大器 RF LDMOS WB Amp HV7IC 120WGSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel
MD7IC2012GNR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7IC 2GHZ12W TO270WB14G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MD7IC2012NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7IC 2GHZ 12W TO270WB14 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MD7IC2050GNR1 功能描述:功率放大器 HV7IC 2100MHZ TO270WB14G RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封装 / 箱体: 工作电源电压:28 V 电源电流:2.5 A 工作温度范围: 封装:
MD7IC2050NBR1 功能描述:功率放大器 HV7IC 2100MHZ TO272WB14 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封装 / 箱体: 工作电源电压:28 V 电源电流:2.5 A 工作温度范围: 封装: