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参数资料
| 型号： | MD7IC18120GNR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 6/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PWR AMP RF LDMOS TO270-16 |
| 标准包装： | 500 |
| 频率： | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| P1dB： | 50.8dBm（120W） |
| 增益： | 25.8dB |
| RF 型： | W-CDMA |
| 电源电压： | 28V |
| 测试频率： | 1.88GHz |
| 封装/外壳： | TO-270-16 变型，鸥翼 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Single--ended
λ
λ
4
λ
2
λ
4
λ
2
4
Quadrature combined
Doherty
Push--pull
Figure 4. Possible Circuit Topologies
MD7IC18120NR1 MD7IC18120GNR1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TRC105 | IC TXRX 300MHZ-510MHZ 32TQFN |
| MT-6-15 | XFRMR 115V 5V 1.75A 6VA 3OUT |
| IF-2-10 | XFRMR 115/230V 5V 400MA 2VA PCB |
| 14A-20-515 | XFRMR PWR 115/230V 5V 750MA 20VA |
| 14A-20-512 | XFRMR PWR 115/230V 5V 750MA 20VA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MD7IC18120NR1 | 功能描述:射频放大器 RF LDMOS WB Amp HV7IC 120WGSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MD7IC2012GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7IC 2GHZ12W TO270WB14G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MD7IC2012NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7IC 2GHZ 12W TO270WB14 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MD7IC2050GNR1 | 功能描述:功率放大器 HV7IC 2100MHZ TO270WB14G RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封装 / 箱体: 工作电源电压:28 V 电源电流:2.5 A 工作温度范围: 封装: |
| MD7IC2050NBR1 | 功能描述:功率放大器 HV7IC 2100MHZ TO272WB14 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封装 / 箱体: 工作电源电压:28 V 电源电流:2.5 A 工作温度范围: 封装: |
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