参数资料
型号: MD7IC18120GNR1
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 7/18页
文件大小: 0K
描述: IC PWR AMP RF LDMOS TO270-16
标准包装: 500
频率: 1.805GHz ~ 1.88GHz
P1dB: 50.8dBm(120W)
增益: 25.8dB
RF 型: W-CDMA
电源电压: 28V
测试频率: 1.88GHz
封装/外壳: TO-270-16 变型,鸥翼
包装: 带卷 (TR)
TYPICAL CHARACTERISTICS
I DQ1B = 160 mA, I DQ2B = 500 mA, V GS2A = 1.7 Vdc 37
27
26.8
PAE
V DD = 28 Vdc, P out = 30 W (Avg.), I DQ1A = 70 mA
38
26.6
26.4
26.2
26
25.8
25.6
25.4
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz
Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability
on CCDF
G ps
PARC
IRL
36
35
34
--30
--32
--34
--36
--5
--10
--15
--20
0
--0.5
--1
--1.5
25.2
25
1760
1780
1800
1820
1840
ACPR
1860 1880
1900
--38
--40
1920
--25
--30
--2
--2.5
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 5. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ P out = 30 Watts Avg.
--20
--30
--40
--50
--60
V DD = 28 Vdc, P out = 30 W (PEP)
I DQ1A = 70 mA, I DQ1B = 160 mA
I DQ2B = 500 mA, V GS2A = 1.7 Vdc
IM5--U
IM7--L
Two--Tone Measurements
IM3--L
IM3--U
IM5--L
IM7--U
--70
1
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1840 MHz
10
100
TWO--TONE SPACING (MHz)
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
27
26.5
26
25.5
1
0
--1
--2
V DD = 28 Vdc, I DQ1A = 70 mA, I DQ1B = 160 mA, I DQ2B = 500 mA
V GS2A = 1.7 Vdc, f = 1840 MHz, Single--Carrier W--CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
--1 dB = 34 W
50
46
42
38
--27
--29
--31
--33
25
--3
--2 dB = 44 W
G ps
34
--35
24.5
--4
PAE
--3 dB = 58 W
PARC
30
--37
24
--5
20
ACPR
30
40
50
60
70
26
--39
P out , OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 7. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
MD7IC18120NR1 MD7IC18120GNR1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
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MD7IC2012NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7IC 2GHZ 12W TO270WB14 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
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MD7IC2050NBR1 功能描述:功率放大器 HV7IC 2100MHZ TO272WB14 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封装 / 箱体: 工作电源电压:28 V 电源电流:2.5 A 工作温度范围: 封装: