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参数资料
| 型号： | MD7IC18120GNR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PWR AMP RF LDMOS TO270-16 |
| 标准包装： | 500 |
| 频率： | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| P1dB： | 50.8dBm（120W） |
| 增益： | 25.8dB |
| RF 型： | W-CDMA |
| 电源电压： | 28V |
| 测试频率： | 1.88GHz |
| 封装/外壳： | TO-270-16 变型，鸥翼 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Table 5. Electrical Characteristics (T A = 25 ° C unless otherwise noted) (continued)
Typical Broadband Performance (1) (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V DD = 28 Vdc, I DQ1A = 70 mA, I DQ1B = 160 mA, I DQ2B =
500 mA, V GS2A = 1.7 Vdc, P out = 30 W Avg., Single--Carrier W--CDMA, IQ Magnitude Clipping, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF. ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @ ± 5 MHz Offset.
Frequency
1805 MHz
1840 MHz
1880 MHz
G ps
(dB)
25.7
25.7
25.8
PAE
(%)
36.7
36.3
35.3
Output PAR
(dB)
6.9
6.9
6.7
(In Freescale Doherty Test Fixture, 50 ohm system) V DD = 28 Vdc, I DQ1A = 70 mA, I DQ1B = 160 mA,
Typical Performances
(1)
I DQ2B = 500 mA, V GS2A = 1.7 Vdc, 1805--1880 MHz Bandwidth
Characteristic
P out @ 1 dB Compression Point, CW
IMD Symmetry @ 30 W PEP, P out where IMD Third Order
Intermodulation ? 30 dBc
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Symbol
P1dB
IMD sym
Min
—
—
Typ
120
15
Max
—
—
Unit
W
MHz
Sidebands > 2 dB)
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
Gain Flatness in 75 MHz Bandwidth @ P out = 30 W Avg.
VBW res
G F
—
—
35
0.3
—
—
MHz
dB
Quiescent Current Accuracy over Temperature
with 2 k ? Gate Feed Resistors (--30 to 85 ° C) (2)
Gain Variation over Temperature
(--30 ° C to +85 ° C)
Output Power Variation over Temperature
(--30 ° C to +85 ° C)
Stage 1
Stage 2
? I QT
? G
? P1dB
—
—
—
4.26
5.04
0.04
0.04
—
—
—
%
dB/ ° C
dBm/ ° C
1. Measurement made with device in a Symmetrical Doherty configuration.
2. Refer to AN1977, Quiescent Current Thermal Tracking Circuit in the RF Integrated Circuit Family and to AN1987, Quiescent Current Control
for the RF Integrated Circuit Device Family . Go to http://www.freescale.com/rf. Select Documentation/Application Notes -- AN1977 or
AN1987.
MD7IC18120NR1 MD7IC18120GNR1
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MD7IC18120NR1 | 功能描述:射频放大器 RF LDMOS WB Amp HV7IC 120WGSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MD7IC2012GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7IC 2GHZ12W TO270WB14G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MD7IC2012NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7IC 2GHZ 12W TO270WB14 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MD7IC2050GNR1 | 功能描述:功率放大器 HV7IC 2100MHZ TO270WB14G RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封装 / 箱体: 工作电源电压:28 V 电源电流:2.5 A 工作温度范围: 封装: |
| MD7IC2050NBR1 | 功能描述:功率放大器 HV7IC 2100MHZ TO272WB14 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封装 / 箱体: 工作电源电压:28 V 电源电流:2.5 A 工作温度范围: 封装: |
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