参数资料
型号: MG400V1US51A
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封装: MODULE-7
文件页数: 5/7页
文件大小: 116K
代理商: MG400V1US51A
Dec.2005
MITSUBISHI IGBT MODULES
MG400V1US51A
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
MOTOR CONTROL APPLICATIONS
PERFORMANCE CURVES
800
600
200
400
0
04
6
8
10
2
800
600
400
200
0
04
10
8
6
2
10
9
12
20
Common emitter
Tj = 25°C
15
9
12
10
20
15
VGE = 8V
16
12
8
4
0
20
16
04
8
12
IC = 800A
200
400
800
640
320
160
480
0
08
12
16
20
4
Tj = 125°C
800
600
200
400
0
04
6
8
10
2
Tj = 125°C
16
12
8
4
0
20
16
04
8
12
IC = 800A
200
400
25
Common emitter
Tj = 125°C
IC - VCE
COLLECTOR
CURRENT
I
C
(A)
GATE-EMITTER VOLTAGE VGE (V)
VCE - VGE
COLLECTOR-EMITTER
VOLTAGE
V
CE
(V)
IC - VGE
COLLECTOR
CURRENT
I
C
(A)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
GATE-EMITTER VOLTAGE VGE (V)
Common emitter
VCE = 5V
IC - VCE
COLLECTOR
CURRENT
I
C
(A)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
VCE - VGE
COLLECTOR-EMITTER
VOLTAGE
V
CE
(V)
GATE-EMITTER VOLTAGE VGE (V)
IF - VF
FORWARD
CURRENT
I
F
(A)
FORWARD VOLTAGE VF (V)
Common cathode
VGE = 0V
Common emitter
Tj = 25°C
Common emitter
Tj = 125°C
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