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参数资料
| 型号： | MG400V1US51A |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-7 |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | MG400V1US51A |
Dec.2005
MITSUBISHI IGBT MODULES
MG400V1US51A
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
MOTOR CONTROL APPLICATIONS
Edsw - RG
1000
0
200
400
600
800
20
0
4
8
12
16
0
1000
1500
2000
2500
500
VCE, VGE - QG
COLLECTOR-EMITTER
VOLTAGE
V
CE
(V)
GATE-EMITTER
VOLTAGE
V
GE
(V)
CHARGE QG (nC)
Common emitter
RL = 2.25
Tj = 25
°C
VGE = 0V
f = 1MHz
TC = 25
°C
105
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
102
103
104
100
23
5 7
23
5 7
101
102
C - VCE
CAPACITANCE
C
(pF)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
Cies
Cres
Coes
Rth - tW
TRANSIENT
THERMAL
RESISTANCE
R
th(j-c)
(
°C/W)
PULSE WIDTH tW (s)
DIODE STAGE
TRANSISTOR STAGE
102
7
5
3
2
7
5
3
2
101
100
08
12
16
4
REVERSE
RECOVERY
LOSS
E
dsw
(mJ)
GATE RESISTANCE RG (
)
Edsw - IF
102
7
5
3
2
7
5
3
2
101
100
0
200
300
400
100
REVERSE
RECOVERY
LOSS
E
dsw
(mJ)
FORWARD CURRENT IF (A)
TC = 25
°C
100
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
10-3
10-2
10-1
10-3 23 5 7
10-1
100
101
10-2 23 5 7
23 5 7
Tj = 25
°C
Tj = 125
°C
Common emitter
VCC = 900V
IC = 400A
VGE =
±15V
Tj = 25
°C
Tj = 125
°C
Common emitter
VCC = 900V
RG = 2
VGE =
±15V
600
300
900
VCE =0V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG400V2YS60A | 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MG456A | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:0.56 FOUR DIGIT NUMERIC DISPLAYS |
| MG456A-GD | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:0.56 FOUR DIGIT NUMERIC DISPLAYS |
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