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参数资料
| 型号： | MIXA20W1200MC |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | SIXPACK-18 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | MIXA20W1200MC |
2011 IXYS All rights reserved
3 - 6
20110304b
MIXA20W1200MC
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Module
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ. max.
Unit
T
VJ
T
VJM
T
stg
operating temperature
max. virtual junction temperature
storage temperature
-40
125
150
125
°C
V
ISOL
isolation voltage
I
ISOL < 1 mA; 50/60 Hz; t = 1 s
3600
V~
M
d
mounting torque (M5)
1.5
2
Nm
d
S
d
A
creep distance on surface
strike distance through air
11.2
mm
Weight
24
g
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MIXA20W1200TMH | 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MIXA20WB1200TMH | 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MIXA40WB1200TED | 60 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MIXA80W1200TED | 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MJ11028.MODR1 | 50 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MIXA20W1200TMH | 功能描述:IGBT 模块 Six-Pack XPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MIXA20W1200TML | 功能描述:IGBT 模块 Six-Pack XPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MIXA20WB1200TED | 功能描述:IGBT 模块 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MIXA20WB1200TMH | 功能描述:IGBT 模块 1200V XPT CBI XPT IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MIXA20WB1200TML | 功能描述:IGBT 模块 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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