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参数资料
| 型号： | MIXA20W1200MC |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | SIXPACK-18 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | MIXA20W1200MC |
2011 IXYS All rights reserved
5 - 6
20110304b
MIXA20W1200MC
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
InverterT1-T6
0
1
2
3
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
35
0
1
2
3
4
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
30
V
CE [V]
I
C
[A]
Q
G [nC]
V
GE
[V]
9 V
11 V
5
6
7
8
9
10 11 12 13
0
5
10
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
60
0
5
10
15
20
13 V
40
60
80
100
120
140
160
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
E
[mJ]
E
on
Fig. 1 Typ. output characteristics
V
CE [V]
I
C
[A]
VGE = 15 V
17 V
19 V
Fig. 2 Typ. output characteristics
I
C
[A]
Fig. 3 Typ. tranfer characteristics
V
GE [V]
Fig. 4 Typ. turn-on gate charge
Fig. 5 Typ. switching energy vs. collector current
E
off
Fig. 6 Typ. switching energy vs. gate resistance
R
G []
E
[mJ]
I
C [A]
R
G =
56
V
CE = 600 V
V
GE = ±15 V
T
VJ = 125°C
E
on
E
off
I
C =
15 A
V
CE = 600 V
V
GE = ±15 V
T
VJ = 125°C
I
C
= 15 A
V
CE = 600 V
T
VJ = 125°C
T
VJ = 25°C
VGE = 15 V
T
VJ = 125°C
T
VJ = 125°C
T
VJ = 25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MIXA20W1200TMH | 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MIXA20WB1200TMH | 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MIXA40WB1200TED | 60 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MIXA80W1200TED | 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MJ11028.MODR1 | 50 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MIXA20W1200TMH | 功能描述:IGBT 模块 Six-Pack XPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MIXA20W1200TML | 功能描述:IGBT 模块 Six-Pack XPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MIXA20WB1200TED | 功能描述:IGBT 模块 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MIXA20WB1200TMH | 功能描述:IGBT 模块 1200V XPT CBI XPT IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MIXA20WB1200TML | 功能描述:IGBT 模块 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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