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参数资料
| 型号： | MIXA20W1200MC |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | SIXPACK-18 |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | MIXA20W1200MC |
2011 IXYS All rights reserved
6 - 6
20110304b
MIXA20W1200MC
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
200
300
400
500
600
700
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
10
20
30
40
Q
rr
[C]
I
F
[A]
V
F [V]
di
F /dt [A/s]
T
VJ = 125°C
T
VJ = 25°C
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
10 A
20 A
40 A
Fig. 7 Typ. Forward current versus V
F
Fig. 8 Typ. reverse recov.charge Q
rr vs. di/dt
200
300
400
500
600
700
0
5
10
15
20
25
30
35
I
RR
[A]
di
F /dt [A/s]
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
10 A
20 A
40 A
Fig. 9 Typ. peak reverse current I
RM vs. di/dt
200
300
400
500
600
700
0
100
200
300
400
500
600
700
t
rr
[ns]
di
F /dt [A/s]
10 A
20 A
40 A
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
Fig. 10 Typ. recovery time t
rr versus di/dt
Fig. 11 Typ. recovery energy E
rec versus di/dt
200
300
400
500
600
700
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
E
rec
[mJ]
di
F /dt [A/s]
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
10 A
20 A
40 A
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
t
p [s]
Z
thJC
[K/W]
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
Diode
IGBT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MIXA20W1200TMH | 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MIXA20WB1200TMH | 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MIXA40WB1200TED | 60 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MIXA80W1200TED | 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MJ11028.MODR1 | 50 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MIXA20W1200TMH | 功能描述:IGBT 模块 Six-Pack XPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MIXA20W1200TML | 功能描述:IGBT 模块 Six-Pack XPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MIXA20WB1200TED | 功能描述:IGBT 模块 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MIXA20WB1200TMH | 功能描述:IGBT 模块 1200V XPT CBI XPT IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MIXA20WB1200TML | 功能描述:IGBT 模块 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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