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参数资料
| 型号： | MJD117-1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 369-07, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | MJD117-1 |
MJD112 MJD117
http://onsemi.com
5
V CE
,COLLECT
OR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V CE
,COLLECT
OR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
NPN MJD112
PNP MJD117
Figure 7. DC Current Gain
Figure 8. Collector Saturation Region
Figure 9. “On Voltages
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
300
0.06
0.2
2 k
800
4 k
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
VCE = 3 V
TJ = 125°C
3 k
0.1
0.6
25°C
-55°C
1 k
0.4
1
6 k
400
600
2
4
0.04
300
0.06
0.2
2 k
800
4 k
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
3 k
0.1
0.6
25°C
-55°C
1 k
0.4
1
6 k
400
600
24
3.4
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.6
0.1 0.2
0.5
10
25
IC =
0.5 A
1 A
1
3
1
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4
1
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
2.2
1.8
0.6
0.2
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 3 V
VCE(sat) @ IC/IB = 250
0.06
0.2
2
0.1
0.6
0.4
1
4
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4
1
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
2.2
1.8
0.6
0.2
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
0.06
0.2
2
0.1
0.6
0.4
1
4
20
50
100
3.4
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.6
0.1
0.2
0.5
10
25
1
3
1
20
50
100
VBE @ VCE = 3 V
TC = 125°C
VCE = 3 V
4 A
TJ = 125°C
2 A
TJ = 125°C
IC =
0.5 A
1 A
4 A
2 A
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD117-T1 | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD117-1 | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD117I | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD122-1 | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD122-TP | POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD117-1G | 功能描述:达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD117G | 功能描述:达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD117G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MJD117-I | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:D-PAK for Surface Mount Applications |
| MJD117ITU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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