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参数资料
| 型号： | MJD117-1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 369-07, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | MJD117-1 |
MJD112 MJD117
http://onsemi.com
6
NPN MJD112
PNP MJD117
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.06
0.2
0
*APPLIED FOR IC/IB < hFE/3
0.1
0.6
-55°C TO 25°C
0.4
1
-4.8
24
104
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10-1
0
-0.4
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
I C
103
102
101
100
+0.2 +0.4 +0.6
TJ = 150°C
100°C
REVERSE
FORWARD
25°C
VCE = 30 V
105
-0.6
-0.2
+0.8
+1 +1.2 +1.4
104
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10-1
0
+0.4
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
I C
103
102
101
100
-0.2 -0.4 -0.6
105
+0.6
+0.2
-0.8
-1
-1.2 -1.4
+0.8
-4
-3.2
-2.4
-1.6
-0.8
θVC FOR VBE
25°C TO 150°C
*θVC FOR VCE(sat)
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.06
0.2
0.1
0.6
0.4
1
2
4
Figure 10. Temperature Coefficients
Figure 11. Collector Cut–Off Region
Figure 12. Darlington Schematic
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈ 8 k
≈ 120
PNP
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈ 8 k
≈ 120
NPN
0
-4.8
+0.8
-4
-3.2
-2.4
-1.6
-0.8
V,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
V,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
-55°C TO 25°C
*APPLIES FOR IC/IB < hFE/3
*θVC FOR VCE(sat)
θVB FOR VBE
25°C TO 150°C
-55°C TO 25°C
25°C TO 150°C
-55°C TO 25°C
VCE = 30 V
REVERSE
FORWARD
TJ = 150°C
100°C
25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD117-T1 | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD117-1 | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| MJD122-1 | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD117-1G | 功能描述:达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD117G | 功能描述:达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD117G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MJD117-I | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:D-PAK for Surface Mount Applications |
| MJD117ITU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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