- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录182422 > MJD50-1 (ON SEMICONDUCTOR) 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MJD50-1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 369-07, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MJD50-1 |
MJD47 MJD50
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 369A–13
ISSUE AA
DPAK
D
A
K
B
R
V
S
F
L
G
2 PL
M
0.13 (0.005)
T
E
C
U
J
H
–T– SEATING
PLANE
Z
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.235
0.250
5.97
6.35
B
0.250
0.265
6.35
6.73
C
0.086
0.094
2.19
2.38
D
0.027
0.035
0.69
0.88
E
0.033
0.040
0.84
1.01
F
0.037
0.047
0.94
1.19
G
0.180 BSC
4.58 BSC
H
0.034
0.040
0.87
1.01
J
0.018
0.023
0.46
0.58
K
0.102
0.114
2.60
2.89
L
0.090 BSC
2.29 BSC
R
0.175
0.215
4.45
5.46
S
0.020
0.050
0.51
1.27
U
0.020
---
0.51
---
V
0.030
0.050
0.77
1.27
Z
0.138
---
3.51
---
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
12
3
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD47-1 | 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD50I | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD47I | 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD50 | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| MJDS-G | FEMALE, TELECOM AND DATACOM CONNECTOR, SOLDER, JACK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD50G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD50T4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD50T4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD50T4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 400V D-PAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V D-PAK |
| MJD50T4G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MJD Series 400 V 1 A NPN Surface Mount Power Transistor - TO-252 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。