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参数资料
| 型号： | MJE15030AF |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/61页 |
| 文件大小： | 408K |
| 代理商： | MJE15030AF |
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3–684
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Complementary Silicon Plastic
Power Transistors
. . . designed for use as high–frequency drivers in audio amplifiers.
DC Current Gain Specified to 4.0 Amperes
hFE = 40 (Min) @ IC = 3.0 Adc
hFE = 20 (Min) @ IC = 4.0 Adc
Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 120 Vdc (Min) — MJE15028, MJE15029
VCEO(sus) = 150 Vdc (Min) — MJE15030, MJE15031
High Current Gain — Bandwidth Product
fT = 30 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc
TO–220AB Compact Package
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MJE15028
MJE15029
MJE15030
MJE15031
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
120
150
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
120
150
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
— Peak
IC
8.0
16
Adc
Base Current
IB
2.0
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25
_C
PD
50
0.40
Watts
W/
_C
Total Power Dissipation @ TA = 25_C
Derate above 25
_C
PD
2.0
0.016
Watts
W/
_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to + 150
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJC
2.5
_C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θJA
62.5
_C/W
0
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (
°C)
0
40
60
100
120
160
40
TC
20
60
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
0
2.0
TA
1.0
3.0
80
140
TC
TA
20
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MJE15028
MJE15030
MJE15029
MJE15031
*Motorola Preferred Device
8 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
120 – 150 VOLTS
50 WATTS
*
NPN
PNP
*
CASE 221A–06
TO–220AB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE15031AS | 8 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| MJE15028BA | 8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE15031AN | 8 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE15031BG | 8 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJE15030G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 150V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE15031 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 150V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE15031 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-220 |
| MJE15031G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 150V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE15032 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 250V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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