参数资料
型号: MJL4281A
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 功率晶体管
英文描述: Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors
中文描述: 15 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA
封装: CASE 340G-02, TO-3PBL, 3 PIN
文件页数: 5/6页
文件大小: 55K
代理商: MJL4281A
MJL4281A (NPN) MJL4302A (PNP)
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 340G02
ISSUE H
TO3PBL (TO264)
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
N
P
Q
R
U
W
MIN
28.0
19.3
4.7
0.93
1.9
2.2
5.45 BSC
2.6
0.43
17.6
11.0
3.95
2.2
3.1
2.15
6.1
2.8
MAX
29.0
20.3
5.3
1.48
2.1
2.4
MIN
1.102
0.760
0.185
0.037
0.075
0.087
0.215 BSC
0.102
0.017
0.693
0.433
0.156
0.087
0.122
0.085
0.240
0.110
MAX
1.142
0.800
0.209
0.058
0.083
0.102
INCHES
MILLIMETERS
3.0
0.78
18.8
11.4
4.75
2.6
3.5
2.35
6.5
3.2
0.118
0.031
0.740
0.449
0.187
0.102
0.137
0.093
0.256
0.125
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
0.25 (0.010)
M
T B
M
J
H
R
N
U
L
P
A
K
C
E
F
D
G
W
2 PL
3 PL
0.25 (0.010)
M
Y Q
S
1
2
3
B
Q
Y
T
STYLE 2:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
相关PDF资料
PDF描述
MJL4302A Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors
MJW1302A Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors
MJW3281A Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors
MJW18020 NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar
MJW21193 Silicon Power Transistors
相关代理商/技术参数
参数描述
MJL4281A_06 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:15 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 350 VOLTS, 230 WATTS
MJL4281AG 功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 350V 230W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJL4281AG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 350V
MJL4302A 功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 350V 230W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJL4302AG 功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 350V 230W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2