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参数资料
| 型号： | MMBFJ309LT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 108K |
| 描述： | JFET SS N-CHAN 25V SOT23 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-23-3 Pkg |
| 标准包装： | 3,000 |
| 晶体管类型： | N 通道 JFET |
| 额定电流： | 30mA |
| 电压 - 额定： | 25V |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MMBFJ309LT1GOS MMBFJ309LT1GOS-ND MMBFJ309LT1GOSTR |
MMBFJ309L, MMBFJ310L, SMMBFJ309L, SMMBFJ310L
http://onsemi.com
3
70
60
50
40
30
20
, SATURATION DRAIN CURRENT (mA)
-5.0 -4.0 -3.0 -2.0
-1.0 0
0
ID
- V
GS, GATE-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
DSS
10
70
60
50
40
30
20
10
, DRAIN CURRENT (mA)
I
D
IDSS
- V
GS, GATE-SOURCE CUTOFF VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Drain Current and Transfer
Characteristics versus Gate?Source Voltage
VDS
= 10 V
IDSS
+°C
TA
= -
°C
+°C
+°C
-°C
+150°C
+150°C
ID, DRAIN CURRENT (mA)
100 k
10 k
1.0 k
100
0.01 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100
1.0 k
100
10
1.0
, FORWARD TRANSCONDUCTANCE ( mhos)
Y
fs
μ
, OUTPUT ADMITTANCE ( mhos)
Y
os
μ
VGS(off)
= -
VGS(off)
= -
Figure 2. Common?Source Output
Admittance and Forward Transconductance
versus Drain Current
Yfs
Yfs
Yos
VGS, GATE SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 00
6.0
7.0
8.0
9.0
10
CAPACITANCE (pF)
10
7.0
4.0
1.0
0
120
96
72
48
24
, ON RESISTANCE (OHMS)
R
DS
RDS
Cgs
Cgd
Figure 3. On Resistance and Junction
Capacitance versus Gate?Source Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBFJ310 | IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MMBFJ310 | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
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