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参数资料
| 型号： | MMBFJ309LT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 108K |
| 描述： | JFET SS N-CHAN 25V SOT23 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-23-3 Pkg |
| 标准包装： | 3,000 |
| 晶体管类型： | N 通道 JFET |
| 额定电流： | 30mA |
| 电压 - 额定： | 25V |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MMBFJ309LT1GOS MMBFJ309LT1GOS-ND MMBFJ309LT1GOSTR |
MMBFJ309L, MMBFJ310L, SMMBFJ309L, SMMBFJ310L
http://onsemi.com
4
|Y
11
|, |Y
21
|, |Y
22
| (mmhos)
Y
12
(mmhos)
30
24
18
12
6.0
0100 200 300 500 700
1000
f, FREQUENCY (MHz)
3.0
2.4
1.8
1.2
0.6
|S21|, |S11|
0.85
0.45
0.79
0.39
0.73
0.33
0.67
0.27
0.61
0.21
0.55
0.15100 200 300 500 700
|S12|, |S22|
0.060
1.00
0.048
0.98
0.036
0.96
0.024
0.94
0.012
0.92
0.90
1000
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Common?Gate Y Parameter
Magnitude versus Frequency
Figure 5. Common?Gate S Parameter
Magnitude versus Frequency
VDS
= 10 V
ID
= 10 mA
TA
= 25
°C
Y11
Y21
Y22
Y12
S22
S21
S11
S12
VDS
= 10 V
ID
= 10 mA
TA
= 25
°C
f, FREQUENCY (MHz)
21, 11
50°
40°
30°
20°
10°
0°100 200 300 500 700
180°
170°
160°
150°
140°
130°
12, 22
-0°
-°
-°
-°
84°
-°
83°
1000-°
82°
-°
-°
-°
-°
-°
87°
86°
85°
Figure 6. Common?Gate Y Parameter
Phase?Angle versus Frequency
f, FREQUENCY (MHz)
11, 12
°
120°
°
100°
80°
60°
40°
20100 200 300 500 700°
-
-
-°
-°
-°
-°
21, 22
0
-°
-°
-°
-°
-°
1000
Figure 7. S Parameter Phase?Angle
versus Frequency
22
21
12
11
VDS
= 10 V
ID
= 10 mA
TA
= 25
°C
11
21
22
21
11
12
VDS
= 10 V
ID
= 10 mA
TA
= 25
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBFJ310 | IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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