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参数资料
| 型号： | MMBTA06L99Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | MMBTA06L99Z |
MPSA06
/
MMBTA06
/
PZTA06
NPN General Purpose Amplifier
MMBTA06
MPSA06
PZTA06
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
VCEO
Collector-Emitter Voltage
80
V
VCBO
Collector-Base Voltage
80
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
4.0
V
IC
Collector Current - Continuous
500
mA
TJ, Tstg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
This device is designed for general purpose amplifier applications
at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 33.
C
B
E
TO-92
C
B
E
SOT-23
Mark: 1G
B
C
SOT-223
E
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
**Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm2.
Symbol
Characteristic
Max
Units
MPSA06
*MMBTA06
**PZTA06
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
625
5.0
350
2.8
1,000
8.0
mW
mW/
°C
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
200
357
125
°C/W
Discrete POWER & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA06 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| MMBTA06 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| MMBTA05 | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMBTA06LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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