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参数资料
| 型号： | MMBTA06L99Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | MMBTA06L99Z |
MPSA06
/
MMBTA06
/
PZTA06
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CEO
Collector-Emitter Sustaining Voltage*
IC = 1.0 mA, IB = 0
80
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 100
A, I
C = 0
4.0
V
ICEO
Collector-Cutoff Current
VCE = 60 V, IB = 0
0.1
A
ICBO
Collector-Cutoff Current
VCB = 80 V, IE = 0
0.1
A
ON CHARACTERISTICS
hFE
DC Current Gain
IC = 10 mA, VCE = 1.0 V
IC = 100 mA, VCE = 1.0 V
100
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 100 mA, IB = 10 mA
0.25
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 100 mA, VCE = 1.0 V
1.2
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
Spice Model
NPN (Is=8.324f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=100 Bf=12.16K Ne=1.368 Ise=73.27f Ikf=.1096 Xtb=1.5 Br=11.1 Nc=2 Isc=0
Ikr=0 Rc=.25 Cjc=18.36p Mjc=.3843 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=55.61p Mje=.3834 Vje=.75 Tr=72.15n Tf=516.1p Itf=.5
Vtf=4 Xtf=6 Rb=10)
Typical Characteristics
fT
Current Gain - Bandwidth Product
IC = 10 mA, VCE = 2.0 V,
f = 100 MHz
100
MHz
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P33
0.1
1
10
100
1000
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
C
O
L
EC
T
O
R
EM
IT
T
E
R
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
C
ESA
T
ββ = 10
- 40 C
25 °C
125 °C
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
P33
0.001
0.01
0.1
50
100
150
200
I
- COLLECTOR CURRENT (A)
h
-
T
YPIC
A
L
PU
L
SED
C
U
R
EN
T
G
A
IN
FE
- 40 C
25 °C
C
V
= 1V
CE
125 °C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA06 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA05 | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA06 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| MMBTA05 | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| MMBTA06 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBTA06LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA06LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA06LT1HTSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANS NPN 80V 500MA SOT23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR AF NPN SOT-23 |
| MMBTA06LT3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA06LT3G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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