参数资料
型号: MMBTA06L99Z
厂商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件页数: 3/4页
文件大小: 123K
代理商: MMBTA06L99Z
MPSA06
/
MMBTA06
/
PZTA06
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Characteristics (continued)
Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
P33
25
50
75
100
125
0.001
0.01
0.1
1
10
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
-
CO
L
E
C
T
O
R
CUR
RE
NT
(n
A)
A
CBO
V
= 80 V
CB
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
1000
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
BAS
E
M
IT
T
E
R
V
O
LT
AG
E
(V
)
C
BE
S
A
T
ββ = 10
- 40 C
25 °C
125 °C
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
P33
1
10
100
1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE
EM
IT
T
E
R
O
N
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
O
N
V
= 5V
CE
- 40 C
25 °C
125 °C
Collector Saturation Region
4000
10000
20000
30000
50000
0
0.5
1
1.5
2
I - BASE CURRENT (uA)
V
-
C
O
LLE
C
T
O
R
-E
M
ITTE
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
B
10 mA
100 mA
1 mA
T
= 25°C
I
=
CE
C
A
CE
R
Collector-Emitter Breakdown
Voltage with Resistance
Between Emitter-Base
0.1
1
10
100
1000
111
112
113
114
115
116
117
RESISTANCE (k )
B
V
-
BRE
AKDO
W
N
V
O
L
T
AG
E
(
V
)
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
- COLLECTOR VOLTAGE(V)
CA
P
A
CI
T
A
NCE
(
p
F
)
C
f = 1.0 MHz
CE
C
ob
ib
相关PDF资料
PDF描述
MMBTA06 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA05 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA06 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
MMBTA05 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
MMBTA06 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MMBTA06LT1 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06LT1G 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06LT1HTSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANS NPN 80V 500MA SOT23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR AF NPN SOT-23
MMBTA06LT3 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06LT3G 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2