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参数资料
| 型号： | MMDF2P02HDR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 3.3A 20V 8SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 588pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MMDF2P02HDR2GOS |
MMDF2P02HD
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
Normalized to q ja at 10s.
0.02
Chip
0.0175 W
0.0710 W
0.2706 W
0.5776 W
0.7086 W
0.01
0.01
SINGLE PULSE
0.0154 F
0.0854 F
0.3074 F
1.7891 F
107.55 F
Ambient
0.001
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 14. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
http://onsemi.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMDF3N02HDR2G | MOSFET PWR P-CH 20V 3.8A 8-SOIC |
| MMDF3N04HDR2G | MOSFET N-CH DUAL 3.4A 40V 8SOIC |
| MMDFS6N303R2 | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| MMFT5P03HDT1 | MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 |
| MMFT960T1 | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMDF2P03HD | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 2 Amps, 30 Volts Pa??Channel SOa??8, Dual |
| MMDF2P03HDR2 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMDF3200Z | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:DUAL TMOS POWER MOSFET 11.5 AMPERES 20 VOLTS |
| MMDF3207 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:DUAL TMOS POWER MOSFET 7.8 AMPERES 20 VOLTS |
| MMDF3C03HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:COMPLEMENTARY DUAL TMOS POWER FET 30 VOLTS |
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