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参数资料
| 型号： | MMH3111NT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TRANS GAAS HFET SOT-89 |
| 标准包装： | 1 |
| 频率： | 250MHz ~ 4GHz |
| P1dB： | 22.5dBm（177.8mW） |
| 增益： | 12dB |
| 噪音数据： | 3.2dB |
| RF 型： | 手机，PCS，ISM，WLL |
| 电源电压： | 5V |
| 电流 - 电源： | 150mA |
| 测试频率： | 900MHz |
| 封装/外壳： | TO-243AA |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MMH3111NT1DKR |
50 OHM TYPICAL CHARACTERISTICS
20
0
S11
--10
15
S22
--20
--40 ° C
25 ° C
10
T C = 85 ° C
V DD = 5 Vdc
--30
V DD = 5 Vdc
5
0
1
2
3
4
--40
0
1
2
3
4
13
f, FREQUENCY (GHz)
Figure 2. Small--Signal Gain (S21) versus
Frequency
24
f, FREQUENCY (GHz)
Figure 3. Input/Output Loss versus Frequency
12
11
10
9
8
900 MHz
1960 MHz
2600 MHz
3500 MHz
2140 MHz
V DD = 5 Vdc
23
22
21
20
19
18
17
16
V DD = 5 Vdc
10
12
14
16
18
20
22
24
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
160
140
120
100
80
60
40
P out , OUTPUT POWER (dBm)
Figure 4. Small--Signal Gain versus Output
Power
50
48
46
44
42
40
f, FREQUENCY (GHz)
Figure 5. P1dB versus Frequency
20
38
V DD = 5 Vdc, 10 dBm per Tone
Two--Tone Measurements, 1 MHz Tone Spacing
0
0
1
2
3
4
5
6
36
0
1
2
3
4
V DD , DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain Current versus Drain Voltage
MMH3111NT1
4
f, FREQUENCY (GHz)
Figure 7. Third Order Output Intercept Point
versus Frequency
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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