参数资料
型号: MPC5200BV400
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 11/72页
文件大小: 0K
描述: IC MPU 32BIT 400MHZ 272-PBGA
标准包装: 40
系列: MPC52xx
核心处理器: 603e G2 LE
芯体尺寸: 32-位
速度: 400MHz
连通性: CAN,EBI/EMI,以太网,I²C,IrDA,J1850,SPI,UART/USART,USB
外围设备: AC'97,DMA,I²S,POR,PWM,WDT
输入/输出数: 56
程序存储器类型: 外部程序存储器
RAM 容量: 16K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd): 1.42 V ~ 1.58 V
振荡器型: 内部
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 272-BBGA
包装: 托盘
MPC5200B Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor
19
Figure 6. Timing Diagram—Standard SDRAM Memory Write Timing
1.3.6.3
Memory Interface Timing-DDR SDRAM Read Command
The SDRAM Memory Controller uses a 1/4 period delayed MDQS strobe to capture the MDQ data. The 1/4 period delay value
is calculated automatically by hardware.
Table 20. DDR SDRAM Memory Read Timing
Sym
Description
Min
Max
Units
SpecID
tmem_clk
MEM_CLK period
7.5
ns
A5.15
tvalid
Control Signals, Address and MBA
valid after rising edge of MEM_CLK
—tmem_clk ×0.5 +0.4
ns
A5.16
thold
Control Signals, Address and MBA
hold after rising edge of MEM_CLK
tmem_clk × 0.5
ns
A5.17
datasetup
Setup time relative to MDQS
0.4
ns
A5.18
datahold
Hold time relative to MDQS
2.6
ns
A5.19
MEM_CLK
Control Signals
MDQ (Data)
MA (Address)
NOTE: Control Signals are composed of RAS, CAS, MEM_WE, MEM_CS, MEM_CS1 and CLK_EN
Active
NOP
WRITE
NOP
thold
Row
Column
MBA (Bank Selects)
datahold
datavalid
tvalid
thold
tvalid
thold
tvalid
DQM (Data Mask)
DMvalid
DMhold
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